时间：2025/7/16 12:37:15
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IKW15N120BH6XKSA1 是一款由英飞凌（Infineon）生产的高压 MOSFET 芯片，属于 OptiMOS 系列。该芯片采用 N 沟道技术，主要适用于高电压和高效率的应用场景，例如开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及太阳能逆变器等。其封装形式为 TO-Leadless 封装（TOLL），具有较低的导通电阻和良好的热性能。
最大漏源电压：1200V
连续漏极电流：15A
导通电阻：170mΩ
栅极电荷：85nC
开关速度：快速
工作温度范围：-55℃ to 175℃
IKW15N120BH6XKSA1 具备卓越的电气特性和可靠性。
1. 高电压能力：能够承受高达 1200V 的漏源电压，非常适合工业和汽车领域的高电压应用。
2. 低导通电阻：在额定条件下，导通电阻仅为 170mΩ，有助于降低功率损耗，提高系统效率。
3. 快速开关性能：通过优化设计，该芯片具备较低的栅极电荷和输出电荷，从而实现更快的开关速度并减少开关损耗。
4. 强大的热管理能力：TO-Leadless 封装显著改善了芯片的散热性能，使得其能够在高温环境下稳定运行。
5. 高可靠性：经过严格的质量测试，确保在各种恶劣工况下的长期稳定性。
这款 MOSFET 主要用于需要高效能量转换和控制的场景。
1. 开关电源（SMPS）：
- 提供高效的电力转换，满足现代电源对小型化和高效率的需求。
2. DC-DC 转换器：
- 在电动汽车和工业设备中广泛使用，用于稳定电压输出。
3. 太阳能逆变器：
- 实现光伏系统的直流到交流转换，支持绿色能源发展。
4. 电机驱动：
- 控制各类电机的速度与方向，广泛应用于家用电器和工业自动化领域。
5. 电池管理系统（BMS）：
- 保护锂电池组免受过充或过放影响，延长电池寿命。
IKW15N120H6XKSA1, IRFB7440TRPBF, STW11N120FH
