IKP20N65H5是英飞凌(Infineon)公司生产的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-247封装,适用于高频开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和逆变器等应用场合。
这款MOSFET具有较低的导通电阻(Rds(on)),能够在高频率下提供高效的开关性能,并且具备良好的热特性和电气特性。IKP20N65H5的工作电压高达650V,能够承受较高的漏源极电压,适合各种高压应用场景。
最大漏源极电压:650V
连续漏极电流:20A
导通电阻(Rds(on)):180mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
栅极电荷:39nC(典型值)
输入电容:2040pF(典型值)
开关时间:ton=48ns,toff=57ns(典型值)
结温范围:-55℃至+175℃
封装形式:TO-247
IKP20N65H5的主要特性包括:
1. 高电压耐受能力:额定漏源极电压为650V,可有效防止过压损坏。
2. 较低的导通电阻:在Vgs=10V时,导通电阻仅为180mΩ(典型值),有助于减少传导损耗。
3. 快速开关速度:由于其较小的栅极电荷和优化的内部结构,该器件具有快速的开关速度,从而降低开关损耗。
4. 高可靠性:采用了先进的制造工艺,确保了器件在恶劣环境下的稳定性和长寿命。
5. 宽温度范围:结温范围从-55℃到+175℃,适合高温和低温工作条件。
6. 符合RoHS标准:环保设计,满足现代电子产品的环保要求。
IKP20N65H5广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS):用于高效能的AC-DC和DC-DC转换电路。
2. 工业控制:如电机驱动、工业自动化设备中的功率控制模块。
3. 电动工具:作为主功率开关,提供高效的功率输出。
4. 新能源系统:如太阳能逆变器和风力发电系统中的功率转换部分。
5. 汽车电子:例如车载充电器、启动电机控制器和其他汽车电子设备中的功率管理模块。
IPP20N06S,
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IXYS20N65C3