时间：2025/5/22 23:37:36
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IKP15N60T 是英飞凌（Infineon）推出的一款 N 沤道功率场效应晶体管（MOSFET）。该器件采用了先进的 TRENCHSTOP 技术，具有低导通电阻和高开关速度的特点。它适用于各种高效率、高频开关应用，例如开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及太阳能逆变器等场景。
这款 MOSFET 的最大特点是能够在高压环境下提供出色的性能表现，同时保持较低的导通损耗和开关损耗。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：15A
导通电阻（Rds(on)）：0.42Ω（典型值，在 Vgs=10V 时）
栅极电荷：38nC（最大值）
输入电容：1070pF（典型值）
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-247
IKP15N60T 具有以下主要特性：
1. 高击穿电压能力（600V），适合工业及汽车级高压应用。
2. 极低的导通电阻（0.42Ω 典型值），从而显著减少导通损耗。
3. 快速开关能力，得益于其优化的栅极电荷设计。
4. 超强的热稳定性，能够承受高达 175℃ 的结温。
5. 符合 RoHS 标准，环保且安全可靠。
6. TO-247 封装便于散热管理，非常适合大功率应用场景。
IKP15N60T 广泛应用于需要高效能功率转换和控制的场合，包括但不限于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）设计，用于提高电源转换效率。
2. DC-DC 转换器，支持高效率的电压调节功能。
3. 太阳能逆变器，为可再生能源系统提供关键功率转换组件。
4. 工业电机驱动，实现精确的电机速度与扭矩控制。
5. 电动汽车充电基础设施，满足快速充电需求。
6. 各类高频电力电子设备中的功率开关元件。
IKP15N60E, IRFP460, STP15NB60K
