时间：2025/7/22 2:31:19
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IXTT100N25P 是一款由 IXYS 公司制造的高功率 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高电流、高电压的开关应用。该器件设计用于高效能电源转换设备，如 DC-DC 转换器、电机控制、UPS 系统以及工业自动化设备。IXTT100N25P 采用 TO-247 封装，具备较低的导通电阻（Rds(on)）和较高的电流承载能力，适合用于高频开关电路。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压（Vds）：250V
最大漏极电流（Id）：100A
导通电阻（Rds(on)）：最大 20mΩ（典型值可能更低）
栅极阈值电压（Vgs(th)）：2.5V ~ 5V
最大功耗（Ptot）：300W
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装类型：TO-247
IXTT100N25P 具备出色的电气性能和热稳定性，其低导通电阻有助于减少功率损耗，提高系统效率。该器件采用先进的平面技术，提供快速开关能力和良好的热传导性能，适用于高频率开关操作。此外，该 MOSFET 具有较高的雪崩能量耐受能力，能够在瞬态过电压情况下保持稳定运行，提高了系统的可靠性。其 TO-247 封装形式适合多种散热安装方式，便于在各种应用中实现有效的热管理。
该器件还具备较高的短路耐受能力，可以在短时间内承受较大的电流冲击而不会损坏。这种特性使其在电机驱动、电源转换和工业控制等应用中表现出色。同时，IXTT100N25P 的栅极驱动电压范围较宽，支持 10V 至 20V 的驱动电压，使其适用于多种栅极驱动电路设计。
IXTT100N25P 主要应用于需要高电流、高电压处理能力的功率电子系统，如大功率 DC-DC 转换器、不间断电源（UPS）、电机控制器、工业自动化设备、太阳能逆变器以及焊接设备等。由于其高可靠性和低导通损耗，该器件也非常适合用于高效率电源管理系统和高频开关电源设计。
IXFH100N25P, IXFP100N25P, IRFP4668, STP100N250K5
