IXTT100N25P 是一款由 IXYS 公司制造的高功率 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于高电流、高电压的开关应用。该器件设计用于高效能电源转换设备,如 DC-DC 转换器、电机控制、UPS 系统以及工业自动化设备。IXTT100N25P 采用 TO-247 封装,具备较低的导通电阻(Rds(on))和较高的电流承载能力,适合用于高频开关电路。
类型:N 沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压(Vds):250V
最大漏极电流(Id):100A
导通电阻(Rds(on)):最大 20mΩ(典型值可能更低)
栅极阈值电压(Vgs(th)):2.5V ~ 5V
最大功耗(Ptot):300W
工作温度范围:-55°C ~ +175°C
封装类型:TO-247
IXTT100N25P 具备出色的电气性能和热稳定性,其低导通电阻有助于减少功率损耗,提高系统效率。该器件采用先进的平面技术,提供快速开关能力和良好的热传导性能,适用于高频率开关操作。此外,该 MOSFET 具有较高的雪崩能量耐受能力,能够在瞬态过电压情况下保持稳定运行,提高了系统的可靠性。其 TO-247 封装形式适合多种散热安装方式,便于在各种应用中实现有效的热管理。
该器件还具备较高的短路耐受能力,可以在短时间内承受较大的电流冲击而不会损坏。这种特性使其在电机驱动、电源转换和工业控制等应用中表现出色。同时,IXTT100N25P 的栅极驱动电压范围较宽,支持 10V 至 20V 的驱动电压,使其适用于多种栅极驱动电路设计。
IXTT100N25P 主要应用于需要高电流、高电压处理能力的功率电子系统,如大功率 DC-DC 转换器、不间断电源(UPS)、电机控制器、工业自动化设备、太阳能逆变器以及焊接设备等。由于其高可靠性和低导通损耗,该器件也非常适合用于高效率电源管理系统和高频开关电源设计。
IXFH100N25P, IXFP100N25P, IRFP4668, STP100N250K5