时间：2025/5/22 21:22:05
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IKA15N65ET6是一款由英飞凌（Infineon）生产的高压MOSFET，采用TRENCHSTOP?技术制造。该器件属于增强型N沟道MOSFET，广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器和逆变器等场景中。由于其低导通电阻和高效率特性，该器件能够在高频应用中提供卓越的性能表现。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：15A
导通电阻：0.18Ω（典型值，在VGS=10V时）
栅极电荷：38nC（典型值）
输入电容：2040pF（典型值）
开关频率：高达500kHz
结温范围：-55℃至175℃
IKA15N65ET6采用了先进的TRENCHSTOP?场截止技术，从而实现了更低的导通电阻和更高的效率。该器件具有优秀的热稳定性，并能在高频条件下保持较低的开关损耗。
此外，它还具备快速恢复二极管功能，能够有效减少反向恢复时间，提高系统整体效率。这款MOSFET支持表面贴装封装（TO-Leadless），不仅节省了空间，还提升了散热性能。
该器件适用于多种工业和消费类电子设备，包括但不限于开关模式电源（SMPS）、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、LED驱动器以及各类电机控制应用。其高耐压和大电流能力使其非常适合需要可靠性和高效性的场景。
IKW15N65E, IRFB3207, FDP15N65S
