时间：2025/7/1 21:06:17
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HM30P02K是一种高性能的N沟道功率MOSFET，采用TO-252表面贴装封装形式。该器件主要适用于高效率开关电源、DC/DC转换器、电机驱动等应用领域。其低导通电阻和快速开关特性使其在功率转换和控制应用中表现出色。
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：2.9A
导通电阻(Rds(on))：170mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
总功耗(Ptot)：1.3W
结温范围(Tj)：-55℃至+150℃
HM30P02K具有低导通电阻，能够显著降低导通损耗并提高系统效率。
它具备快速开关能力，适合高频应用环境，并且其小型化的TO-252封装形式便于PCB设计与安装。
同时，该器件还具有良好的热稳定性，能够在较宽的工作温度范围内可靠运行。
该芯片广泛应用于消费电子产品的开关电源适配器中，例如笔记本电脑充电器和手机快充。
此外，HM30P02K还常用于各种DC/DC转换器模块、LED驱动电路以及小型化电机驱动方案中。
其高效能表现使其成为许多需要紧凑设计和高效率解决方案的理想选择。
IRFZ44N
STP30NF06L
FDP17N06
