时间：2025/5/7 12:59:57
阅读：12
IHW40N65R5 是一款高性能的 N 沣道开关功率 MOSFET，采用 TO-247 封装。该器件具有低导通电阻和快速开关特性，广泛应用于高效率电源转换、电机驱动以及工业控制等领域。
这款 MOSFET 的最大耐压为 650V，适用于高压环境下的多种应用。同时，其优化的设计使得开关损耗较低，从而提升了整体系统效率。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：40A
导通电阻：0.18Ω
栅极电荷：55nC
总功耗：300W
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
IHW40N65R5 提供了出色的电气性能，特别适合高压应用环境。其主要特性包括：
1. 高击穿电压（650V），确保在恶劣条件下的稳定性。
2. 极低的导通电阻（0.18Ω 典型值），减少了传导损耗。
3. 快速开关速度，降低了开关损耗并提高了系统效率。
4. 良好的热性能，能够承受更高的功率密度。
5. 可靠性高，能够在高温环境下长时间稳定运行。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际规范要求。
IHW40N65R5 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）
2. 工业逆变器
3. 电机驱动与控制
4. 不间断电源（UPS）
5. 太阳能逆变器
6. 高效 DC-DC 转换器
7. 各类需要高压切换的电子电路
IRFP460, IXTK40N65T2
