时间：2025/5/8 19:23:30
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IHW30N65R5 是一款 N 沟道功率场效应晶体管 (MOSFET)，专为高电压、高效率应用而设计。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关性能，适用于各种工业和汽车领域。其额定电压高达 650V，适合高压工作环境。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：10A
导通电阻：0.45Ω
栅极电荷：38nC
总电容：2000pF
功耗：15W
结温范围：-55℃ 至 175℃
IHW30N65R5 的主要特性包括以下几点：
1. 高击穿电压：支持高达 650V 的漏源电压，使其能够胜任高压应用场景。
2. 低导通电阻：在典型工作条件下，导通电阻仅为 0.45Ω，可显著降低功率损耗。
3. 快速开关能力：具备低栅极电荷和快速开关速度，有助于提高系统效率。
4. 高可靠性：能够在极端温度范围内工作，从 -55℃ 到 +175℃ 的结温范围确保了其在恶劣环境下的稳定性。
5. 小型封装：通常采用 TO-247 或 DPAK 封装形式，便于集成到紧凑型设计中。
IHW30N65R5 广泛应用于多种电力电子设备中，主要包括：
1. 开关电源 (SMPS)：用于高效能 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 电机驱动：控制直流无刷电机或步进电机的运行。
3. 太阳能逆变器：实现光伏系统的能量转换与管理。
4. 电动车辆：用作电动汽车和混合动力汽车中的关键功率元件。
5. 工业自动化：支持各类工业控制系统和机器人技术中的高压电路驱动。
IHW29N65R5, IRFP460, STP30NF65
