IGW40N60TP 时间：2025/6/22 12:52:19 阅读：3

IGW40N60TP 是一款 N 沟道功率 MOSFET，专为高电压和高效率应用而设计。该器件采用先进的制造工艺，在开关电源、电机驱动、逆变器以及其他需要高效能的电力电子设备中表现出色。其优化的 Rds(on) 和栅极电荷特性使得开关损耗较低，从而提高了整体系统效率。
　　这款 MOSFET 的额定阻断电压为 600V，适用于多种工业和消费类电子产品中的高压场景。

参数

最大漏源电压：600V
　　连续漏极电流：40A
　　导通电阻（Rds(on)）：180mΩ（典型值，25°C时）
　　栅极-源极电压（Vgs）：±20V
　　功耗：360W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-247

特性

1. 高电压承受能力（600V），适合各种高压应用。
　　2. 较低的导通电阻（Rds(on)）减少了导通损耗，有助于提高系统效率。
　　3. 栅极电荷较小，提升了开关速度并降低了开关损耗。
　　4. 工作温度范围宽广，可在恶劣环境下稳定运行。
　　5. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
　　6. 可靠性高，具有良好的雪崩能力和鲁棒性，能够承受瞬态过载条件。

应用

IGW40N60TP 广泛应用于以下领域：
　　1. 开关模式电源（SMPS）和 DC-DC 转换器。
　　2. 电机驱动和控制电路。
　　3. 太阳能逆变器和其他可再生能源转换设备。
　　4. 不间断电源（UPS）系统。
　　5. 各种工业自动化设备和家电中的高压切换电路。
　　6. 电动汽车及充电桩相关的高压控制模块。