时间：2025/9/14 18:59:14
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PMPB48EPAX是一款由STMicroelectronics制造的P沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、电池供电设备以及负载开关等电路中。该器件采用高性能的PowerFLAT 5x6封装技术，具备优良的热性能和电气性能，适合在紧凑型设计中使用。
类型：P沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：-40V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：-8A
导通电阻（RDS(on)）：35mΩ（典型值，@VGS=-10V）
栅极电荷（Qg）：22nC（典型值）
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：PowerFLAT 5x6
PMPB48EPAX具有低导通电阻的特性，使其在高电流应用中能够有效降低功耗，提高系统效率。此外，该器件的栅极电荷较低，有助于实现快速开关操作，从而减少开关损耗。
该MOSFET采用了先进的沟槽式技术，提供出色的电气稳定性和热管理能力，适用于高密度电源设计。PowerFLAT封装还具备良好的散热性能，能够在高负载条件下保持稳定运行。
PMPB48EPAX的工作温度范围较宽，支持从-55°C到150°C的极端环境应用，适用于工业级和汽车电子系统。此外，该器件具备较高的抗静电能力和过载保护特性，增强了其在复杂电磁环境中的可靠性。
该MOSFET的封装尺寸小巧，便于在空间受限的设计中使用，同时保持了优异的电气性能和热稳定性。这使得PMPB48EPAX成为各种高效能电源管理应用的理想选择。
PMPB48EPAX广泛应用于多个领域，包括但不限于以下方面：电源管理系统、DC-DC转换器、同步整流器、负载开关控制、电池供电设备、汽车电子系统以及工业自动化设备。
在电源管理系统中，PMPB48EPAX用于高效能的电压调节和电流控制，提供稳定的输出性能。在DC-DC转换器中，该器件可作为高边开关，实现高效的能量转换。
在电池供电设备中，PMPB48EPAX用于优化能效和延长电池寿命，同时其低导通电阻特性有助于减少发热，提高设备的可靠性。
在汽车电子系统中，该MOSFET可用于车身控制模块、车载充电系统和电动助力转向系统等应用，满足汽车电子对高可靠性和宽工作温度范围的要求。
PMPB48EPAX的替代型号包括NDS355AN、Si4435DY、IRF7409、FDV303P
