时间：2025/6/6 0:47:55
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IGA03N120H2是一款高性能的MOSFET功率晶体管，采用先进的制造工艺设计。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点，适合用于高频开关应用中。其额定电压为1200V，能够承受较高的反向电压，同时具备较低的栅极电荷，有助于提高系统的整体效率。
该型号广泛应用于开关电源、逆变器、电机驱动以及DC-DC转换器等场景中，可满足多种工业和消费类电子产品的性能需求。
最大漏源电压：1200V
连续漏极电流：3.0A
导通电阻（典型值）：250mΩ
栅极电荷：65nC
输入电容：1800pF
工作结温范围：-55℃至+150℃
1. 高击穿电压（1200V），确保在高压环境下的稳定运行。
2. 极低的导通电阻（250mΩ），降低传导损耗。
3. 快速开关能力，减少开关损耗并提升系统效率。
4. 优化的栅极电荷设计，简化驱动电路设计。
5. 宽工作温度范围（-55℃至+150℃），适用于恶劣的工作条件。
6. 符合RoHS标准，环保且可靠。
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
2. 光伏逆变器及不间断电源（UPS）的核心元件。
3. 工业电机驱动控制。
4. DC-DC转换器和PFC电路。
5. 各种需要高效功率转换的应用场景。
IGA04N120H2
STGW40H12MD
IRG4PC20UD
