类型：射频功率晶体管
　　晶体管类型：N沟道LDMOSFET
　　最大漏极电流（ID）：15A
　　最大漏源电压（VDS）：65V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　工作温度范围：-65°C至+150°C
　　封装类型：TO-247AC
　　频率范围：1MHz至3GHz
　　增益：20dB（典型值）
　　输出功率：典型值100W
　　输入驻波比（VSWR）：2:1
　　热阻（Rth）：1.5°C/W（典型值）

IFR3500EKAC采用了Infineon先进的LDMOS技术，具备高效率和高线性度，非常适合用于现代通信系统中的射频功率放大器设计。其宽频率范围（1MHz至3GHz）使得该器件可以广泛应用于多种射频和微波系统中，包括广播发射机、工业加热设备以及射频测试仪器等。该器件的高增益（典型值为20dB）和高输出功率（可达100W）使其在射频放大电路中表现出色，能够提供稳定的放大性能。此外，IFR3500EKAC具有良好的热稳定性，热阻仅为1.5°C/W，这有助于在高功率操作下保持较低的结温，从而提高器件的可靠性和寿命。其输入驻波比为2:1，表明其在负载变化的情况下仍能保持良好的匹配性能。封装形式为TO-247AC，这种封装不仅便于散热，还具有良好的机械稳定性和电气性能，适合各种高功率应用场景。
　　在使用过程中，IFR3500EKAC需要适当的偏置电路和匹配网络，以确保其在最佳工作点下运行。此外，由于其高功率特性，设计时需考虑散热问题，通常需要配备散热片或强制风冷以确保器件在安全温度范围内工作。该器件的高耐用性和可靠性使其成为许多射频功率放大器设计中的首选。

IFR3500EKAC广泛应用于无线通信基础设施，如基站和中继器中的射频功率放大器模块。此外，它还用于广播发射设备（如调频广播和电视发射机）中的高功率放大环节。在工业领域，该器件可用于射频加热和等离子体生成设备。在测试和测量设备中，IFR3500EKAC可作为高功率射频信号源的核心元件。此外，它也可用于军事和航空航天领域的射频通信系统。

BLF188XR, MRF1512, AFT05HP1204N