类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：30V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：110A（在Tc=25℃时）
　　功耗(Pd)：160W
　　工作温度范围：-55℃ ~ +175℃
　　封装类型：PG-HSOF-8（表面贴装）
　　导通电阻(Rds(on) max @ Vgs=10V)：3.0mΩ
　　栅极电荷(Qg typ)：110nC
　　输入电容(Ciss typ)：2300pF
　　反向恢复时间(trr)：未指定（非二极管特性）

IFR3000ZKAW 具备多项先进特性，使其在高功率应用中表现出色。
　　首先，其超低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统效率。在 Vgs=10V 时，Rds(on) 仅为 3.0mΩ，使得在高电流应用中也能保持较低的温升。
　　其次，该器件支持高达 110A 的连续漏极电流，适用于高功率输出设计。同时，其最大漏源电压为 30V，能够满足大多数中低压功率转换系统的需求。
　　该 MOSFET 采用 PG-HSOF-8 封装，具有良好的散热性能，有助于提高器件在高负载条件下的可靠性。此外，其表面贴装封装形式也便于自动化生产和 PCB 布局优化。
　　IFR3000ZKAW 的栅极电荷（Qg）典型值为 110nC，意味着在开关过程中所需的驱动能量较低，有助于降低开关损耗，提升整体系统效率。
　　该器件的工作温度范围为 -55℃ 至 +175℃，具有优异的热稳定性和环境适应能力，适用于工业级和汽车级应用场景。
　　此外，IFR3000ZKAW 具备高抗雪崩能力，能够承受瞬时过电压和过电流冲击，增强了系统的鲁棒性。

IFR3000ZKAW 广泛应用于多种高功率密度和高效率要求的电子系统中。
　　在 DC-DC 转换器中，该器件常用于同步整流拓扑，作为高边或低边开关，提供高效的能量转换。其低 Rds(on) 和高电流能力使其在降压、升压或反相拓扑中表现优异。
　　在电机控制领域，IFR3000ZKAW 可用于 H 桥驱动电路，实现对直流电机或步进电机的高效控制，特别是在需要大电流驱动的场合。
　　该器件也适用于负载开关应用，如电源管理模块中的高侧开关，用于控制电源的开启与关闭，实现节能和过载保护功能。
　　此外，IFR3000ZKAW 可用于电池管理系统（BMS）中的充放电控制开关，确保高可靠性和长寿命。
　　在服务器电源、通信电源、工业自动化设备和电动工具等应用中，IFR3000ZKAW 都是理想的功率开关选择。

SiR300DG-T1-GE3, IRLR3000, FDS6680, IPW60R036CFD7