时间：2025/9/7 14:52:35
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HZU4CLLTRF是一款由Renesas（瑞萨电子）生产的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率功率转换应用。该器件采用小型TSMT4封装，适用于需要低导通电阻（Rds(on)）和高开关速度的设计。HZU4CLLTRF广泛应用于DC-DC转换器、电源管理系统、负载开关、电池供电设备等领域。该MOSFET具有优良的热性能和可靠性，能够在较高的工作温度下稳定运行。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：30V
最大漏极电流（Id）：6A
导通电阻（Rds(on)）：23mΩ @ Vgs = 10V
栅极阈值电压（Vgs(th)）：1.4V ~ 2.5V
最大功耗（Pd）：2.5W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：TSMT4
HZU4CLLTRF是一款高性能N沟道MOSFET，具备低导通电阻和高电流承载能力，有助于减少功率损耗并提高系统效率。其低栅极电荷（Qg）特性使其在高频开关应用中表现出色，适用于各种电源转换和管理电路。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，优化了导通和开关性能，同时具备良好的热稳定性，确保在高温环境下仍能保持稳定运行。
此外，HZU4CLLTRF的TSMT4封装设计提供了优良的散热性能，使其能够在高功率密度应用中保持较低的工作温度。该MOSFET的封装尺寸小巧，适用于空间受限的设计，例如便携式设备、嵌入式系统和工业控制模块。其快速开关能力也有助于降低开关损耗，提高整体系统效率。
在可靠性方面，HZU4CLLTRF经过严格的测试和验证，符合AEC-Q101汽车电子标准，适用于汽车电子系统中的关键功率管理应用。其高耐用性和稳定性使其在严苛环境中也能保持优异性能。
HZU4CLLTRF适用于多种功率电子应用，包括但不限于DC-DC转换器、同步整流器、电源管理系统、负载开关、电机驱动器、电池供电设备、工业控制模块和汽车电子系统。其高效率和高可靠性使其成为许多高性能电源设计的理想选择。
SiSS108DN-T1-GE3, BUK9M52-30B, FDS6680, IPB013N04LGATMA1
