时间：2025/12/24 1:00:40
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FDN339AN 是一款 N 沃特 (Fairchild Semiconductor) 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，广泛应用于消费类电子、工业控制和电源管理领域。
该芯片采用小型化 SOT-23 封装，非常适合空间受限的应用场景。其出色的电气性能使其成为各种低压、高效能应用的理想选择。
最大漏源电压(VDS)：30V
最大栅源电压(VGS)：±12V
最大连续漏极电流(ID)：480mA
导通电阻(RDS(on))：1.6Ω（在 VGS=4.5V 时）
功耗(PD)：320mW（在 Tc=25℃ 时）
结温范围(TJ)：-55℃ 至 +150℃
封装类型：SOT-23
FDN339AN 的主要特点包括：
1. 超低导通电阻，有助于减少传导损耗，提高系统效率。
2. 高速开关能力，支持高频 PWM 和开关电源设计。
3. 小型化的 SOT-23 封装，节省 PCB 空间。
4. 静电防护能力强，提高了产品的可靠性。
5. 宽工作温度范围，适合恶劣环境下的应用。
6. 符合 RoHS 标准，环保且适用于全球市场。
FDN339AN 主要应用于以下领域：
1. 手机充电器和适配器中的同步整流。
2. 开关模式电源(SMPS) 中的初级或次级侧开关。
3. LED 驱动电路中的负载开关。
4. 消费类电子产品中的电池管理。
5. 各种需要小尺寸、高效率 MOSFET 的工业控制设备。
6. 信号切换和保护电路中作为电子开关使用。
FDN340AN, FDN337AN
