型号：IFR25P0T0SE26
　　制造商：Infineon Technologies
　　器件类型：IGBT Module
　　集电极-发射极击穿电压 (Vces)：1200 V
　　额定集电极电流 (Ic)：25 A
　　最大结温 (Tj)：150 °C
　　栅极-发射极电压范围 (Vge)：-20 V 至 +25 V
　　导通饱和电压 (Vce(sat)) @ Ic=25A, Vge=15V：约 1.7 V
　　开关频率典型值：可达 50 kHz
　　输入电容 (Cies)：约 4700 pF
　　输出电容 (Coes)：约 950 pF
　　反向恢复时间 (trr)：约 45 ns
　　封装类型：SEMITOP 或类似紧凑型功率模块封装
　　隔离电压：≥ 2500 Vrms / min

IFR25P0T0SE26采用了先进的沟槽栅场截止（Trench Field-Stop）IGBT技术，这项技术显著降低了器件的导通损耗和开关损耗，使其在高频工作条件下仍能保持较高的能效。其核心优势之一是实现了Vce(sat)与关断能量Eoff之间的最佳折衷，这意味着在相同的导通压降下，其关断过程更迅速，能量损耗更低，有助于提升整个系统的效率并减少散热需求。该器件具有非常稳定的温度特性，在宽温度范围内表现出一致的电气性能，避免了因温度变化引起的性能漂移问题，特别适合长时间连续运行的应用场合。
　　另一个关键特性是其优异的短路耐受能力。IFR25P0T0SE26能够在规定条件下承受一定的短路电流而不发生永久性损坏，这为系统提供了重要的保护机制，增强了整体的可靠性和安全性。同时，该模块内置的快速体二极管具备较低的反向恢复电荷（Qrr）和较短的反向恢复时间（trr），有效减少了换流过程中的尖峰电压和电磁干扰（EMI），提高了系统的电磁兼容性。此外，其结构设计优化了内部引线布局，降低了寄生电感，进一步提升了开关瞬态表现。
　　该器件还具备良好的可制造性和系统集成性。标准化的封装尺寸和引脚排列使其易于安装到现有的PCB或母线结构中，并支持自动化焊接工艺。模块底部通常采用陶瓷基板（如Al2O3或Si3N4），不仅具备优良的导热性能，还能实现电气隔离，适用于需要高绝缘等级的应用。综合来看，IFR25P0T0SE26是一款面向中高端功率转换应用的高性能IGBT模块，兼顾效率、可靠性与设计灵活性，广泛受到工业电源和新能源领域工程师的青睐。

IFR25P0T0SE26因其高电压、大电流能力和高效开关特性，被广泛应用于多种电力电子系统中。在工业自动化领域，它常用于变频器和伺服驱动器中作为主功率开关元件，控制交流电机的速度和转矩，实现节能高效的电机控制。在可再生能源方面，该器件适用于光伏并网逆变器的核心拓扑结构，将太阳能电池板产生的直流电高效转换为符合电网要求的交流电，其低损耗特性有助于提高整体发电效率。
　　此外，该模块也常见于不间断电源（UPS）系统中，尤其在在线式UPS的逆变级和整流级电路中发挥关键作用，确保在市电中断时能够无缝切换至电池供电模式，维持负载持续运行。在感应加热设备中，如电磁炉、金属熔炼和热处理装置，IFR25P0T0SE26可用于构建谐振逆变电路，提供高频交流电源以实现高效的能量传输。
　　随着电动汽车基础设施的发展，该器件也被应用于电动汽车充电桩（EV Charger）中的DC-AC逆变单元或AC-DC整流单元，支持快速充电功能。同时，它还可用于工业电源、焊接设备、有源滤波器（APF）和静态无功补偿装置（SVC）等需要高功率密度和高可靠性的场合。由于其良好的热管理和电气隔离能力，该模块非常适合部署在密闭或高温环境中长期运行。

FFG25U120MD | FGA25N120ANTD