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IFDO455C47E03 发布时间 时间:2025/12/25 18:24:48 查看 阅读:17

IFDO455C47E03是一款由Infineon Technologies(英飞凌)生产的高性能射频(RF)低噪声放大器(LNA),专为卫星通信、无线基础设施和宽带接收系统等应用设计。该器件在4.4 GHz至4.8 GHz的频率范围内表现出优异的增益和噪声性能,适用于需要高灵敏度和高线性度的射频前端设计。IFDO455C47E03采用先进的硅锗(SiGe)工艺制造,能够在保持低功耗的同时提供卓越的射频性能。其封装形式为小型化的塑料封装,便于在高密度PCB布局中使用,并具备良好的热稳定性和可靠性。该器件通常用于相控阵雷达、卫星电视接收、点对点微波通信以及5G毫米波回传网络等高端通信系统中,是现代高频通信设备中的关键组件之一。

参数

型号:IFDO455C47E03
  制造商:Infineon Technologies
  工作频率范围:4.4 GHz 至 4.8 GHz
  增益:典型值22 dB
  噪声系数:典型值1.3 dB
  OIP3(三阶交调截点):典型值+28 dBm
  工作电压:3.3 V
  静态电流:典型值65 mA
  输入匹配:50 Ω
  输出匹配:50 Ω
  封装类型:PG-VQFN-16
  工作温度范围:-40°C 至 +105°C
  存储温度范围:-65°C 至 +150°C

特性

IFDO455C47E03作为一款高性能射频低噪声放大器,具备出色的增益平坦度和极低的噪声系数,在4.4 GHz至4.8 GHz频段内能够有效提升接收系统的信噪比,从而增强信号的可探测性和传输距离。其基于硅锗(SiGe)工艺的设计不仅保证了高频性能的稳定性,还显著降低了功耗,使其非常适合用于对能效要求较高的长期运行系统。
  该器件具有优异的线性度表现,OIP3高达+28 dBm,意味着它可以在强干扰信号环境下仍保持良好的信号完整性,避免非线性失真导致的信号恶化。这一特性对于多载波接收系统或存在邻道干扰的应用尤为重要。此外,IFDO455C47E03集成了内部偏置电路,简化了外部设计需求,用户无需复杂的外围偏置网络即可实现稳定工作,提高了设计灵活性并减少了PCB面积占用。
  其PG-VQFN-16封装不仅尺寸紧凑,而且具有优良的散热性能和电磁屏蔽能力,有助于在高频下维持稳定的电气性能。该封装也兼容标准的表面贴装工艺,适合自动化生产流程。器件的工作温度范围宽达-40°C至+105°C,确保其在恶劣环境条件下依然可靠运行,适用于户外基站、航空航天及工业级应用场景。
  IFDO455C47E03还具备良好的输入/输出阻抗匹配(50 Ω),可直接与常见射频组件如滤波器、混频器或天线接口连接,减少额外的匹配电路设计复杂度。整体而言,该LNA在性能、集成度和可靠性之间实现了理想平衡,是现代高频通信系统中不可或缺的关键元件。

应用

IFDO455C47E03广泛应用于需要高灵敏度射频接收的系统中,典型用途包括卫星通信地面站、点对点微波链路、相控阵雷达前端模块、5G固定无线接入(FWA)设备以及宽带无线回传网络。由于其在C波段的良好性能,特别适合用于卫星电视接收和地球观测数据传输系统。此外,该器件也可用于测试与测量仪器中的前端放大电路,以提高仪器的动态范围和检测精度。在军用通信和电子战系统中,IFDO455C47E03因其高线性度和抗干扰能力而被用于构建高性能接收通道。其小型化封装也使其适用于空间受限的移动平台,如无人机通信载荷和便携式战术电台。

替代型号

HMC1040LC5TR

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