容量：256K x 16位
　　电压：3.3V
　　访问时间：183MHz
　　封装：165引脚 TQFP
　　工作温度：-40°C 至 +85°C
　　输入/输出电压兼容性：3.3V CMOS

IDT71V35781YS183PFI 采用高性能CMOS工艺制造，具备高速和低功耗的双重优势，其访问时间仅为183MHz，使得该SRAM能够在高频率下稳定运行。此外，该芯片支持异步操作模式，允许数据在没有时钟同步的情况下快速存取，进一步提高了系统的灵活性和响应速度。其165引脚TQFP封装设计不仅节省空间，还便于在高密度电路板上进行布局。芯片支持-40°C至+85°C的工作温度范围，适合在恶劣工业环境中使用。
　　IDT71V35781YS183PFI 还具备强大的输入/输出缓冲能力，支持3.3V CMOS电平兼容，确保与其他数字电路的无缝对接。其内部结构采用先进的电路设计，优化了读写周期时间，提高了整体性能。此外，该芯片具备低待机电流特性，有助于在不使用时降低系统功耗，从而提升能效。所有这些特性使得该SRAM在对性能和功耗都有严格要求的应用中具有显著优势。

IDT71V35781YS183PFI 广泛应用于需要高速缓存和临时数据存储的场景，例如通信设备中的缓冲区管理、网络交换机的数据路由处理、工业自动化控制系统的实时数据处理模块，以及嵌入式系统中的高速数据缓存。此外，该SRAM还可用于测试设备、医疗成像设备和高性能计算模块中，提供快速可靠的数据存取支持。

IDT71V35782SA183PFG, CY7C1380D-183AXC, IS61WV25616EBLL-10B