容量：256Kbit（16k x 16）
　　电源电压：2.3V 至 3.6V
　　最大访问时间：55ns（在 3.3V 供电下）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：52-TSOP
　　数据保持电压：1.0V（典型值）
　　待机电流：最大 10mA（典型值）
　　读取电流（工作模式）：最大 120mA（典型值）
　　输入/输出逻辑电平：兼容 CMOS/TTL
　　数据输出类型：三态输出

LH5164D3-L 是一款高性能的 16 位 SRAM 存储器芯片，具备高速访问能力和低功耗设计。其核心工作电压范围为 2.3V 至 3.6V，使得该芯片适用于多种供电环境，包括电池供电设备和嵌入式系统。在 3.3V 电源下，其最大访问时间可达 55ns，满足高速数据读写需求。此外，该芯片具备数据保持模式，在电源电压下降至 1.0V 时仍能保持数据不丢失，确保系统在低功耗状态下数据的完整性。
　　该芯片的工作温度范围为 -40°C 至 +85°C，符合工业级标准，适用于严苛环境下的应用，如工业控制、车载电子系统和通信设备。封装采用 52-TSOP 形式，具有较小的封装尺寸和良好的散热性能，适用于高密度 PCB 设计。
　　输入/输出引脚兼容 CMOS 和 TTL 电平，简化了与不同逻辑电平系统的接口设计。同时，输出具有三态控制功能，便于实现总线共享和系统扩展。LH5164D3-L 提供低功耗待机模式，仅需 10mA（典型值）电流，非常适合对功耗敏感的应用场景。

LH5164D3-L 被广泛应用于各种需要高速、低功耗存储的电子系统中。典型应用包括嵌入式系统的高速缓存、工业控制器中的数据缓冲区、通信设备的临时存储器、便携式电子设备的主存储器以及消费类电子产品如智能家电、音频/视频设备中的数据存储模块。由于其宽温工作范围和低功耗特性，也适用于车载电子设备和物联网（IoT）终端设备。

ISSI IS61WV25616BLL-55BLLI, Cypress CY62148EALL55ZSXI, Renesas IDT71V416SA55BHI