容量：8K x 8位
　　电源电压：3.3V 或 5V 可选
　　访问时间：最大 35ns
　　封装类型：32引脚 SOIC
　　工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　接口类型：并行异步接口
　　读写操作模式：支持全异步读写操作

IDT7164L35L32B SRAM 芯片具有多项显著特点，首先是其高速性能，最大访问时间仅为 35 纳秒，这使其适用于高速缓存和实时处理应用。其次是其灵活的电源选择，可支持 3.3V 或 5V 电源供电，增强了与不同系统的兼容性。该芯片采用了 CMOS 工艺制造，不仅提高了稳定性，还降低了功耗，特别适合电池供电或对功耗敏感的设计。
　　IDT7164L35L32B 的并行异步接口设计使其能够直接连接到微处理器或控制器，无需额外的时序控制逻辑，简化了电路设计。此外，该芯片支持全异步读写操作，能够在不依赖时钟信号的情况下完成数据传输，提升了系统的灵活性和响应速度。
　　在可靠性方面，IDT7164L35L32B 具备宽广的工作温度范围（-40°C 至 +85°C），满足工业环境下的稳定运行需求。封装形式为 32 引脚 SOIC，体积小巧，便于 PCB 布局和焊接，同时也有利于提高整体系统的集成度。
　　这款 SRAM 还具备自动省电模式，在没有访问操作时自动进入低功耗状态，从而进一步减少能耗。这种特性使得它非常适合嵌入式系统、通信设备、网络路由器和测试仪器等应用场景。

IDT7164L35L32B 主要应用于需要高速存储和低功耗特性的场合，例如嵌入式控制系统中的临时数据存储、通信设备中的缓存管理、工业自动化设备中的数据缓冲以及测试测量仪器中的快速数据采集。由于其异步接口设计，也常用于传统微处理器系统中作为主存储器或高速缓存单元。

CY62167EVLL-SI7S, IS61LV25616A-10B4I