SE3015-02APO-M 是一款由 Selenia Semiconductors(现为 STMicroelectronics 旗下品牌)设计的双极型晶体管(BJT)阵列集成电路。该器件集成了两个独立的 NPN 晶体管,封装在小型化的表面贴装封装中,适用于需要高性能和高集成度的电子电路。SE3015-02APO-M 在设计上优化了匹配性能,确保两个晶体管在增益、饱和电压和温度特性上保持高度一致,适用于差分放大器、电流镜、开关电路和模拟信号处理等应用场景。
晶体管类型:NPN 双极型晶体管(双管阵列)
集电极-发射极电压(VCEO):30 V
集电极-基极电压(VCBO):50 V
发射极-基极电压(VEBO):5 V
最大集电极电流(IC):100 mA
功耗(PD):300 mW
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
增益带宽积(fT):100 MHz
电流增益(hFE):110 至 800(根据档位不同)
封装类型:SOT-363(6引脚)
SE3015-02APO-M 的最大特点在于其双晶体管阵列设计,能够有效减少PCB布局空间并提高电路设计的灵活性。该器件采用先进的制造工艺,使得两个晶体管之间的参数匹配度非常高,这在需要对称性的差分放大器和电流镜电路中尤为关键。此外,其高电流增益范围(110至800)使其能够适应多种放大和开关应用。
该器件的SOT-363封装不仅体积小巧,而且具有良好的热稳定性和电气性能,适合高密度安装。SE3015-02APO-M 的额定集电极-发射极电压为30V,集电极电流可达100mA,适用于中等功率的开关和放大应用。其100MHz的增益带宽积也使其在高频应用中表现良好,如射频前端模块、音频放大器以及高速逻辑接口电路。
在可靠性方面,SE3015-02APO-M 具有宽广的工作温度范围(-55°C 至 +150°C),适合在工业级和汽车电子环境中使用。该器件还具有良好的热稳定性,避免了因温度变化导致的性能漂移,确保了长期运行的稳定性。
SE3015-02APO-M 主要用于需要高匹配度晶体管对的模拟和数字电路中。典型应用包括差分放大器、电流镜、电平转换电路、射频前端模块、音频放大器、逻辑接口电路、传感器信号调理电路以及开关控制电路等。
在工业自动化和控制系统中,该器件常用于构建高精度的运算放大器电路和传感器接口电路。在消费类电子产品中,SE3015-02APO-M 可用于音频放大和逻辑电平转换。此外,该器件在汽车电子系统中也有广泛应用,例如车身控制模块、车载娱乐系统和仪表盘显示控制等。
由于其高匹配性,该器件特别适合用于需要两个晶体管协同工作的场合,例如构建差分对管、镜像电流源以及推挽式输出级等。其SOT-363的小型封装也使其成为便携式设备和高密度PCB设计中的理想选择。
BC847BDSX, MMBT3904LT1G, 2N3904, 2N2222, DTC114EKA