容量：4K x 8位
　　组织方式：4K地址，8位数据宽度
　　供电电压：5V
　　访问时间：25ns
　　工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
　　封装类型：32引脚SOIC
　　功耗：典型值为120mA（待机模式下为10mA）
　　读写操作模式：异步
　　控制信号：片选（CS）、写使能（WE）、输出使能（OE）
　　输入/输出：8位双向数据总线

IDT7130SA25L52具备出色的性能和可靠性，适用于各种高性能存储应用。其高速访问时间为25ns，能够满足对数据读写速度要求较高的系统需求。芯片采用CMOS技术，具有较低的功耗，在待机模式下功耗极低，有助于延长设备电池寿命并减少热量产生。此外，该SRAM支持异步读写操作，允许灵活的时序控制，适用于多种系统架构。
　　IDT7130SA25L52的工业级工作温度范围确保其在恶劣环境下仍能稳定运行，适用于工业控制、自动化设备和户外通信设备等应用场景。其32引脚SOIC封装不仅节省空间，还便于PCB布局与安装，提高了系统的整体可靠性。该芯片还具有良好的抗干扰能力和较长的使用寿命，适合长时间连续工作的系统。

IDT7130SA25L52广泛应用于需要高速、低功耗存储的电子系统中。常见应用包括工业控制系统中的缓存存储、通信设备中的数据缓冲、嵌入式系统的临时数据存储以及计算机外围设备中的高速缓存。此外，该芯片也可用于音频/视频处理设备、测试仪器和医疗电子设备中，确保数据的快速读写和稳定存储。

IS61LV25616A-10B4I、CY62148EVLL、AS6C62256-55PCN、IDT7130SA25G、IDT7130LA25L52