IDT71256S35TDB是Integrated Device Technology (IDT) 公司生产的一款高速、低功耗的SRAM(静态随机存取存储器)芯片。该芯片具有512K x 8位的存储容量,采用先进的CMOS工艺制造,支持高频率操作和快速数据访问。其设计特别适合需要高性能和低功耗的应用场景。
IDT71256S35TDB采用了TSOP40封装形式,提供卓越的电气特性和稳定性。这款SRAM芯片适用于各种工业级和消费级应用,例如网络设备、通信系统、图像处理、医疗设备以及嵌入式控制系统等。
类型:SRAM
存储容量:512K x 8位
数据宽度:8位
核心电压:3.3V
工作电流:典型值为50mA
待机电流:典型值为10μA
访问时间:最高可达7ns
封装形式:TSOP40
工作温度范围:-40°C至+85°C
引脚数:40
IDT71256S35TDB的主要特性包括:
1. 高速操作能力,支持高达143MHz的时钟频率。
2. 低功耗设计,在待机模式下能够显著降低能耗。
3. 提供快速的数据访问时间(7ns),以满足实时应用需求。
4. 稳定的工作温度范围,适应多种环境条件。
5. 引脚兼容性良好,便于与其他系统组件集成。
6. 具备单周期写入功能,简化了数据管理流程。
7. 支持异步读/写操作,提高了灵活性和易用性。
8. 可靠的抗干扰性能,确保在复杂电磁环境中稳定运行。
IDT71256S35TDB广泛应用于以下领域:
1. 网络设备中的高速缓存和数据缓冲。
2. 通信系统中的临时数据存储和处理。
3. 图像处理领域的帧缓冲和像素数据暂存。
4. 医疗设备中的实时数据采集和分析。
5. 嵌入式控制系统的程序存储和变量缓存。
6. 工业自动化设备中的状态信息保存。
7. 游戏设备和其他消费电子产品中的图形处理支持。
IDT71V256SA35TDB, IS61WV51216BLL-10TI