时间：2025/6/6 16:50:53
阅读：75
SI2304DS是Vishay公司生产的一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用小型化的SOT-23封装，适用于需要低功耗和小尺寸的电路设计。它具有较低的导通电阻和快速开关特性，使其在便携式电子设备、电源管理以及信号切换等应用中表现出色。
SI2304DS的漏源电压额定值为30V，适合用于低压系统环境。其高电流处理能力和低导通损耗使它成为高效能设计的理想选择。
漏源击穿电压：30V
最大漏极电流：1.8A
栅极电荷：5nC
导通电阻（Rds(on)）：150mΩ（典型值，Vgs=4.5V时）
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：SOT-23
1. 低导通电阻：
SI2304DS在不同栅极驱动电压下表现出较低的导通电阻，从而降低功率损耗并提高效率。
2. 快速开关速度：
栅极电荷较小，使得器件能够在高频条件下实现快速开关，非常适合开关电源及脉宽调制应用。
3. 高可靠性：
Vishay制造工艺确保了器件在极端条件下的稳定性和耐用性。
4. 小型化封装：
SOT-23封装不仅节省空间，还简化了印刷电路板布局设计。
5. 宽温度范围：
工作温度范围从-55°C到+150°C，满足各种恶劣环境的应用需求。
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流：
利用其低导通电阻特性，减少能量损耗，提高转换效率。
2. 电池供电设备：
包括手机、平板电脑、笔记本电脑等便携式电子产品中的负载开关或电源控制。
3. 电机驱动：
在小型直流电机控制中提供高效的开关功能。
4. 信号切换：
用于音频、视频信号的隔离与切换，确保信号传输质量。
5. 保护电路：
实现过流保护、短路保护等功能，提升系统的安全性与稳定性。
SI2302DS, BSS138, FDN340P
