时间：2025/5/7 9:12:41
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IDT71256L25TDB是美国公司Integrated Device Technology（IDT）生产的高速、低功耗的静态随机存取存储器（SRAM）。该器件具有256K x 18位的存储容量，采用先进的CMOS工艺制造，能够提供卓越的速度性能和较低的功耗。
这款芯片设计用于需要高数据吞吐量的应用场景，例如网络设备、图像处理系统和高性能计算领域。它支持同步和异步操作模式，并具备快速访问时间以满足实时应用需求。
存储容量：256K x 18位
核心电压：1.8V
I/O电压：1.8V / 2.5V / 3.3V
访问时间：5ns
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装形式：TQFP-100
数据宽度：18位
时钟频率：最高200MHz
IDT71256L25TDB采用了IDT专有的低功耗CMOS技术，确保在高速运行时仍然保持较低的功耗水平。
该芯片支持突发模式操作，可以显著提高数据传输效率。
其灵活的电源电压范围允许与多种不同接口标准兼容，简化了系统设计过程。
此外，它还提供了强大的功能集，包括自动掉电、可编程刷新周期以及增强型错误检测机制等特性。
通过集成内部终端电阻，减少了对外部元件的需求，从而节省了PCB空间并降低了成本。
由于其出色的性能表现，IDT71256L25TDB被广泛应用于以下领域：
1. 网络通信设备，如路由器、交换机和防火墙。
2. 数字信号处理器（DSP）及相关应用中的高速缓存。
3. 医疗成像和工业自动化控制中的数据缓冲。
4. 高端图形处理单元（GPU）中的帧缓冲区。
5. 其他对速度和可靠性要求较高的嵌入式系统中作为临时数据存储解决方案。
IDT71V256L25TDB, IDT71256S25TDB
