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IDT70V658S10BFG 发布时间 时间:2025/7/22 19:21:02 查看 阅读:4

IDT70V658S10BFG 是集成设备技术公司(Integrated Device Technology,简称IDT)推出的一款高速双端口静态随机存取存储器(Static RAM,SRAM)芯片。该芯片采用高速CMOS工艺制造,支持两个独立端口进行同时读写操作,适用于需要高速数据交换和缓冲的应用场合。IDT70V658S10BFG 通常用于网络设备、通信系统、工业控制、测试设备等领域。

参数

容量:36Mb(2M x 18)
  访问时间:10ns
  电源电压:3.3V
  封装类型:FBGA
  引脚数:165
  工作温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
  接口类型:异步双端口SRAM
  读写周期时间:10ns
  最大读取电流:200mA
  最大待机电流:10mA

特性

IDT70V658S10BFG 是一款高性能异步双端口SRAM芯片,具有以下主要特性:
  首先,该芯片支持两个独立端口同时访问,每个端口均可独立进行读写操作,非常适合需要高并发数据处理的应用场景,如多处理器系统、数据交换缓冲等。
  其次,该芯片的访问时间为10ns,具有非常高的数据存取速度,能够满足高速数据传输和实时处理的需求。其异步接口设计简化了系统设计,并提高了系统的兼容性和灵活性。
  此外,IDT70V658S10BFG 采用低功耗CMOS工艺制造,在待机模式下功耗非常低,适合对功耗敏感的应用环境。其工作电压为3.3V,符合现代低功耗电子系统的设计趋势。
  封装方面,该芯片采用165引脚FBGA封装,具有良好的热性能和电气性能,适用于高密度PCB布局和工业级应用环境。该封装形式也有助于提高系统的稳定性和可靠性。
  该芯片的工作温度范围为-40°C至+85°C,符合工业级标准,能够在严苛的环境条件下稳定运行。这一特性使其广泛应用于工业控制、通信设备、测试仪器等要求高稳定性的场合。
  IDT70V658S10BFG 还具备自动电源关闭功能,在未被访问时自动进入低功耗模式,从而进一步降低整体功耗。这种设计对于电池供电或对能耗有严格要求的系统非常有利。

应用

IDT70V658S10BFG 主要应用于需要高速数据缓存和共享的系统中。例如,在网络设备中,它可以作为高速数据缓冲器,用于临时存储数据包,提高数据转发效率。在通信系统中,该芯片可用于协议转换、数据格式转换和信号处理等任务。在工业控制系统中,IDT70V658S10BFG 可作为高速共享内存,实现多个处理器或控制器之间的数据交换。此外,该芯片还适用于测试与测量设备,如示波器、逻辑分析仪等,用于高速数据采集和处理。由于其双端口特性和高速访问能力,该芯片在多处理器系统中也常被用作共享内存,以提高系统的并行处理能力和响应速度。

替代型号

IDT70V658S10PFG, IDT70V659S10BFG, CY7C1380D-10BZC, IS61WV204818BLL-10BLLI

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IDT70V658S10BFG参数

  • 标准包装7
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭存储器
  • 系列-
  • 格式 - 存储器RAM
  • 存储器类型SRAM - 双端口,异步
  • 存储容量2M(64K x 36)
  • 速度10ns
  • 接口并联
  • 电源电压3.15 V ~ 3.45 V
  • 工作温度0°C ~ 70°C
  • 封装/外壳208-LFBGA
  • 供应商设备封装208-CABGA(15x15)
  • 包装托盘
  • 其它名称70V658S10BFG