工作电压：80V~450V DC
　　输出功率：典型15W@85VAC~265VAC
　　开关频率：65kHz（可调）
　　启动电流：<10μA
　　工作温度范围：-40°C~150°C
　　封装形式：DIP-8
　　输出电压精度：±2%
　　最大占空比：67%
　　反馈方式：光耦反馈
　　内置高压MOSFET：650V/5.6A

KA1M0565R-TU具备多项保护功能，包括过载保护（OLP）、过压保护（OVP）、欠压锁定（UVLO）和过热保护（OTP），确保系统在各种异常情况下都能安全运行。
　　该芯片采用绿色模式（Green Mode）技术，能够根据负载情况自动调节开关频率和占空比，从而实现高效率和低待机功耗，符合国际能效标准如Energy Star和CoC Tier 2。
　　KA1M0565R-TU内置的高压启动电路可减少外部元件数量，简化设计，提高系统可靠性。同时，其电流模式控制架构提供了良好的线性调整率和负载调整率，使得电源设计更加稳定可靠。
　　该芯片还具备前沿消隐（Leading Edge Blanking）功能，用于防止因MOSFET导通时的噪声引起的误触发，提高系统的抗干扰能力。此外，芯片内部集成了斜坡补偿电路，有助于防止在高占空比下出现次谐波振荡问题，从而提高系统的稳定性。

KA1M0565R-TU广泛应用于各种中小功率的开关电源系统，如适配器、充电器、智能电表、工业控制电源、LED驱动电源、家用电器电源等。
　　其高集成度和高性能特性使其成为替代传统PWM控制器+分立MOSFET方案的理想选择，尤其适用于要求高效率、低成本和小体积的电源设计。
　　在设计中，工程师可以利用其内置的MOSFET简化电路结构，减少外围元件数量，提高系统可靠性。同时，其绿色模式功能可有效降低待机功耗，满足现代电子产品对节能性能的要求。
　　由于其宽输入电压范围和良好的温度适应性，KA1M0565R-TU也适用于全球范围内的电网电压波动环境，适用于出口型电子产品和多地区应用的电源设备。

FAN6755WMA、VIPER12A、UC3842、NCP1200、MP020-50