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IDT70V3569S6BC 发布时间 时间:2025/7/22 15:12:09 查看 阅读:7

IDT70V3569S6BC是一款由Renesas(原Integrated Device Technology,IDT)推出的高性能双端口静态随机存取存储器(SRAM)芯片,属于高速同步双端口SRAM系列。该器件专为需要高带宽、低延迟和并行访问的应用设计,具有两个独立的端口,允许两个控制器或处理器同时访问存储器,而不会产生冲突。IDT70V3569S6BC广泛应用于通信设备、网络交换器、工业控制系统以及高速缓存系统。

参数

容量:18Mb(512K x 36)
  组织方式:512K x 36
  电源电压:2.3V - 3.6V
  访问时间:6.5ns
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装类型:165-TQFP
  端口类型:双端口(两个独立端口)
  接口类型:通用异步

特性

IDT70V3569S6BC的主要特性包括其高性能同步双端口架构,使得两个端口能够同时进行读写操作,极大地提升了数据吞吐能力。
  该器件内置总线仲裁逻辑,支持自动冲突检测和解决机制,防止了两个端口同时写入同一地址造成的错误。
  此外,IDT70V3569S6BC具备高速访问能力,访问时间低至6.5ns,适用于要求苛刻的实时系统。
  其宽电压范围(2.3V至3.6V)设计使其适应多种电源供电环境,并具有良好的兼容性。
  该芯片采用165引脚TQFP封装,适合高密度PCB布局和自动化装配工艺。
  内置的全局中断和热插拔控制功能增强了系统的灵活性和可靠性,使其适用于多处理器架构和嵌入式系统。

应用

IDT70V3569S6BC主要用于需要高速、低延迟数据共享的系统中。常见的应用包括网络路由器和交换机中的数据缓存、工业控制系统的共享内存、测试设备的数据缓冲、图像处理系统中的帧缓存,以及需要多处理器协同工作的嵌入式系统。
  由于其双端口结构支持两个主设备并行访问,因此在需要高效数据交换的通信模块和高速采集系统中也具有广泛的应用前景。

替代型号

IDT70V3573S6BC、Cypress CY7C028V、ISSI IS61WV102436BLL

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IDT70V3569S6BC参数

  • 数据列表IDT70V3569S
  • 标准包装6
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭存储器
  • 系列-
  • 格式 - 存储器RAM
  • 存储器类型SRAM - 双端口,同步
  • 存储容量576K(16K x 36)
  • 速度6ns
  • 接口并联
  • 电源电压3.15 V ~ 3.45 V
  • 工作温度0°C ~ 70°C
  • 封装/外壳256-LBGA
  • 供应商设备封装256-CABGA(17x17)
  • 包装托盘
  • 其它名称70V3569S6BC