ATV02W400B-HF是一款由Advanced Monolithic Devices(AMD)制造的双极型晶体管(BJT),专为高频应用设计。该器件采用了先进的硅双极工艺,具有优异的高频性能和稳定性,适用于射频(RF)和中频(IF)放大器、混频器、振荡器等高频电路。ATV02W400B-HF采用SOT-343小型封装,适合高密度PCB布局。
类型:NPN双极型晶体管
工作频率:最高可达2 GHz
最大集电极电流(Ic):200 mA
最大集电极-发射极电压(Vce):15 V
最大集电极-基极电压(Vcb):20 V
最大功耗:150 mW
增益(hFE):典型值50-300(取决于工作电流)
噪声系数:典型值0.8 dB @ 1 GHz
封装形式:SOT-343
ATV02W400B-HF晶体管具有出色的高频性能,在1 GHz以上仍能保持良好的增益和稳定性。其低噪声系数(0.8 dB @ 1 GHz)使其非常适合用于低噪声放大器(LNA)设计。
此外,该器件的增益带宽积(fT)高达10 GHz,确保了在超高频段的应用能力。其hFE值在50至300之间,具有良好的电流放大能力,适用于多种放大器配置,如共射、共基和共集放大电路。
该晶体管采用SOT-343封装,具有较小的封装体积和良好的热稳定性,便于在高密度PCB设计中使用。此外,其最大集电极电流为200 mA,能够满足中功率放大需求,同时最大功耗仅为150 mW,有助于降低系统功耗并提高可靠性。
ATV02W400B-HF适用于广泛的高频应用,包括无线通信、雷达系统、测试仪器、卫星接收器等。其优异的高频特性和低噪声性能使其成为射频前端设计的理想选择。
ATV02W400B-HF晶体管主要应用于高频电子系统,包括低噪声放大器(LNA)、射频功率放大器、混频器、振荡器和中频放大器等。在无线通信系统中,它常用于基站、无线接入点和射频模块的前端电路。此外,该器件也广泛应用于测试测量设备、微波通信系统和航空航天电子设备等领域。
BFQ68、BFG21、BFR93A、BFU520