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IDT6167SA20Y 发布时间 时间:2025/7/29 18:49:17 查看 阅读:35

IDT6167SA20Y 是由 Integrated Device Technology(IDT)公司生产的一款高速静态随机存取存储器(SRAM),属于异步SRAM类别。该器件设计用于高性能计算、网络设备、通信系统和其他需要快速数据访问的应用场景。IDT6167SA20Y 提供了512K位的存储容量,组织形式为64K x 8位,工作电压为3.3V,并且具有高速访问时间,典型值为20纳秒。

参数

容量:64K x 8位(512Kbit)
  电压供应:3.3V
  访问时间:20ns
  工作温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
  封装类型:32引脚TSOP
  接口类型:并行接口
  数据保持电压:2V至3.6V
  最大工作电流:120mA(典型值)
  输入/输出逻辑电平:TTL/CMOS兼容

特性

IDT6167SA20Y 的主要特点包括高速访问时间,使其适用于需要快速数据处理的应用;宽泛的工作温度范围,确保其在恶劣环境中的可靠性;低功耗设计,在待机模式下电流消耗极低;TTL/CMOS兼容的输入/输出电平,便于与各种控制器连接;支持异步操作,适用于多种存储器接口设计;32引脚TSOP封装节省PCB空间,适合高密度设计;支持数据保持模式,在低电压情况下仍能保持数据完整性。
  此外,IDT6167SA20Y 提供了良好的电气性能和稳定性,能够满足工业和通信设备对高可靠性和高性能存储器的需求。其异步SRAM架构允许与多种主控芯片进行无缝连接,简化了系统设计。同时,IDT6167SA20Y 的低待机电流特性也使其非常适合用于便携式或低功耗应用。
  

应用

IDT6167SA20Y 主要应用于网络设备、路由器、交换机、嵌入式系统、工业控制设备、通信基础设施、测试与测量仪器以及高性能计算设备中。作为高速缓存或数据缓冲器,IDT6167SA20Y 能够显著提升系统的数据处理能力和响应速度。此外,它也适用于需要快速随机访问的存储器扩展模块、图形加速器和实时控制系统。
  

替代型号

CY62148EVLL-45ZSXC, IS61LV25616-10B4BLI, IDT6167SA25Y, IDT6167LA20Y

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