IDI300ZP-120 时间：2025/8/9 1:23:17 阅读：30

IDI300ZP-120 是一款由 Infineon Technologies（英飞凌）推出的高性能功率 MOSFET 模块，专为高效率和高可靠性应用而设计。该模块基于碳化硅（SiC）技术，提供了比传统硅基器件更低的开关损耗和更高的工作频率能力。IDI300ZP-120 通常用于电动汽车（EV）充电系统、太阳能逆变器、储能系统以及工业电源等需要高效能功率转换的应用场景。

参数

类型：SiC MOSFET 模块
　　额定漏极电流（ID）：300A
　　漏源极击穿电压（VDS）：1200V
　　导通电阻（RDS(on)）：12mΩ
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装形式：双列直插式（Dual Inline）
　　绝缘类型：增强型绝缘
　　安装方式：螺钉安装
　　尺寸：约 80mm x 50mm x 15mm
　　重量：约 80g

特性

IDI300ZP-120 采用先进的碳化硅（SiC）技术，具备出色的热管理和高导热性能，能够在高温环境下稳定运行。模块内部集成了两个 SiC MOSFET 器件，采用半桥结构设计，减少了外部电路的复杂性并提高了系统集成度。该模块具有极低的导通电阻（RDS(on)）和开关损耗，显著提高了功率转换效率，同时支持更高的开关频率，从而减小了外围电感和电容的尺寸，提升了整体系统的功率密度。
　　该模块的封装设计符合工业标准，具备良好的绝缘性能和机械强度，适用于严苛的工作环境。此外，IDI300ZP-120 还具备出色的短路耐受能力和过热保护特性，确保在异常工况下器件的安全运行。模块还支持快速并联使用，便于构建更高功率的系统应用。

应用

IDI300ZP-120 主要应用于需要高效率、高功率密度和高可靠性的电力电子系统中。典型应用包括电动汽车车载充电器（OBC）、直流快充桩、光伏逆变器、储能变流器（PCS）、不间断电源（UPS）以及工业电机驱动系统等。由于其支持高频率开关操作，该模块也适用于需要高频工作的感应加热和射频电源等特殊应用。此外，其优异的热性能和可靠性使其在高温或恶劣环境条件下依然能够稳定运行，适用于军工和航空航天等高端领域。