时间：2025/7/12 4:13:29
阅读：8
ICVE21054E250R101FR 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，专为高效率、高频开关应用设计。该芯片采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于各种电源转换和电机驱动场景。
这款器件支持高电压操作，并且具备出色的热性能，能够满足严苛的工作环境需求。
型号：ICVE21054E250R101FR
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压（VDS）：250V
最大栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：101A
导通电阻（RDS(on)）：3.5mΩ
总功耗（Ptot）：260W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：D2PAK
ICVE21054E250R101FR 的主要特性包括以下几点：
1. 极低的导通电阻，仅为 3.5mΩ，能够显著降低导通损耗。
2. 快速开关性能，优化了开关速度并减少了开关损耗。
3. 高击穿电压能力，支持高达 250V 的漏源电压，确保在高压环境下稳定运行。
4. 强大的散热能力，使其能够在高温条件下可靠工作。
5. 提供卓越的 ESD 保护功能，增强了芯片的抗干扰能力。
6. 支持高频开关操作，非常适合现代高效电源系统的需求。
7. 符合 RoHS 标准，环保且安全。
该芯片广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS），例如 AC/DC 和 DC/DC 转换器。
2. 电机驱动，包括无刷直流电机和步进电机控制。
3. 电池管理系统（BMS），用于电动汽车和其他便携式设备。
4. 工业自动化设备中的负载切换和功率控制。
5. 太阳能逆变器及其他可再生能源相关设备。
6. 汽车电子系统，如电动助力转向和刹车系统等。
这些应用都依赖于 ICVE21054E250R101FR 的高效功率处理能力和稳定性。
ICVE21054E250R101TR, IRF250N, STP100N25K5
