容量：64 Mbit
　　组织结构：16M x 4位
　　电源电压：3.3V
　　访问时间：25ns
　　封装类型：TSOP（54引脚）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　刷新周期：64ms
　　数据保持电压：2.0V
　　最大工作频率：约33MHz
　　引脚兼容性：与多数异步DRAM控制器兼容

IC43DR16640B-25DBL 芯片具备高速访问时间和低功耗设计，使其在高频率工作下仍保持稳定。该DRAM芯片采用CMOS工艺制造，具备良好的抗干扰性能和较低的漏电流。其异步控制接口允许与多种主控芯片直接连接，无需额外的同步逻辑电路，从而简化了系统设计。此外，该芯片支持自动刷新（Auto Refresh）和自刷新（Self Refresh）功能，有助于降低系统功耗并延长数据保持时间。在数据存储方面，其16M x 4位的结构提供了64Mbit的总容量，适用于图形缓存、帧缓存、数据缓冲等需要大容量内存的应用场景。
　　该芯片还具备良好的兼容性，可替代其他厂商的同类型DRAM产品，如MT48LC16M4A2B4-6A 和 KM416S1612C。其TSOP封装形式有助于减小PCB面积，提高系统的集成度和可靠性。

IC43DR16640B-25DBL 主要应用于需要高速数据缓存的嵌入式系统、工业控制器、视频处理设备、通信模块、医疗仪器以及安防摄像头等。由于其较大的存储容量和较快的访问速度，它常被用作图像缓存或高速数据缓冲器。在工业自动化系统中，该芯片可作为PLC控制器的数据存储单元。在视频采集设备中，可用于临时存储视频帧数据，以提高图像处理的效率。此外，该芯片也适用于一些便携式设备和低功耗控制系统。

MT48LC16M4A2B4-6A, KM416S1612C