时间：2025/12/28 18:07:51
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IC41C82052S-50J 是一款由ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc.）制造的高速动态随机存取存储器（DRAM）。该芯片为256K x 8位的DRAM存储器，具有高速访问时间和低功耗特性，适用于需要中等容量存储的应用场合。该封装为50ns存取时间的SOJ封装，广泛用于工业控制、通信设备和嵌入式系统中。
存储容量：256K x 8位
访问时间：50ns
电源电压：5V
封装类型：SOJ（Small Outline J-Lead）
引脚数：50
工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
数据宽度：8位
时钟频率：最大频率支持约166MHz
刷新方式：自动刷新/自刷新
工作模式：异步DRAM
IC41C82052S-50J 是一款高性能的DRAM芯片，其主要特性包括高速存取时间和低功耗设计。该芯片采用CMOS工艺制造，具有良好的稳定性和可靠性，适用于长时间运行的系统。芯片支持异步操作，无需严格的时钟同步，简化了系统设计。此外，该器件支持自动刷新功能，确保数据在断电前保持完整，延长了数据保存时间。其SOJ封装形式具有较小的体积和良好的散热性能，适合高密度PCB布局。
这款DRAM芯片还具备宽温度范围工作能力，可在-40°C至+85°C之间正常运行，适用于各种严苛环境下的工业和通信设备。同时，其兼容性良好，能够与多种控制器和处理器接口，简化了系统集成。
IC41C82052S-50J 常用于需要较高数据访问速度和中等容量存储的嵌入式系统，如工业控制设备、通信路由器、交换机、打印机、图像处理设备和医疗仪器。由于其低功耗与高可靠性，也适用于一些对环境适应性要求较高的场合，例如安防监控系统和车载电子设备。此外，该芯片也可作为缓存存储器使用，提升系统数据处理效率。
IS41C82052B-50J, CY7C82052S-50J, IDT41C82052S-50J
