时间：2025/12/28 18:38:00
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IC41C16256-60T 是由ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc.）生产的一款高速CMOS动态随机存取存储器（DRAM）芯片。该芯片为16Mbit（1M x 16）容量，采用标准的54引脚TSOP封装，适用于需要高速数据存储的应用场合。其访问时间仅为60ns，适用于需要快速读写操作的系统，例如工业控制、网络设备和通信设备等。
容量：16Mbit
组织结构：1M x 16
封装类型：54-TSOP
访问时间：60ns
工作电压：3.3V 或 5V（视具体版本而定）
工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
接口类型：异步
刷新方式：自动刷新
数据保持电压：1.5V 最小
最大工作频率：约16MHz（根据访问时间估算）
IC41C16256-60T 是一款高性能、低功耗的CMOS DRAM芯片，具备高速访问时间和宽电压工作范围，适合多种应用环境。该芯片采用CMOS技术，具备较高的噪声抗扰能力和较低的静态功耗，在待机模式下功耗极低。其异步接口设计使得其可以与多种控制器兼容，简化了系统设计。此外，该芯片支持自动刷新和隐藏刷新功能，减少了外部控制逻辑的复杂性，提高了系统的稳定性与可靠性。IC41C16256-60T 采用54引脚TSOP封装，体积小巧，适合在空间受限的电路板中使用。该芯片还具备良好的温度适应性，可在工业级温度范围内稳定工作，适用于恶劣环境下的设备。
IC41C16256-60T 主要用于需要大容量高速临时存储的嵌入式系统，例如工业控制器、通信设备、路由器、交换机、测试仪器以及医疗设备等。由于其高速访问时间和低功耗特性，它也适用于图像处理、视频缓冲、高速缓存等对数据吞吐率有较高要求的应用场景。
IS42S16400F-6BLI, CY7C1021GN3-10ZSXE, AS7C31026EC-10BIN-S, IDT71V124SA90PFG
