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IAUC120N04S6N010ATMA1 发布时间 时间:2025/6/22 0:42:42 查看 阅读:5

IAUC120N04S6N010ATMA1是一款高性能的MOSFET功率晶体管,采用先进的制造工艺设计,具有低导通电阻和高开关速度的特点。该器件适用于多种工业应用场合,如电源管理、电机驱动以及逆变器等。其封装形式为TO-247,能够提供出色的散热性能和电气特性。

参数

最大漏源电压:450V
  连续漏极电流:120A
  导通电阻:3.5mΩ
  栅极电荷:85nC
  总电容:300pF
  工作温度范围:-55℃至+175℃

特性

IAUC120N04S6N010ATMA1采用了最新的超级结技术,显著降低了导通损耗,同时具备快速开关能力以减少开关损耗。
  该器件的热阻较低,有助于提高系统的整体效率并延长使用寿命。
  此外,其坚固耐用的设计能够在恶劣环境下保持稳定运行,并且符合RoHS环保标准。

应用

这款功率MOSFET广泛应用于高效能的开关模式电源(SMPS)、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器、电动车辆牵引逆变器以及其他需要高电流和高压处理能力的场景。
  由于其卓越的电气特性和热性能,它也适合用在工业自动化设备中的复杂控制电路中。

替代型号

IAUC120N04S6N010ATMB1
  IAHC120N04S6N010ATMA1

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IAUC120N04S6N010ATMA1参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥20.51000剪切带(CT)5,000 : ¥9.05243卷带(TR)
  • 系列OptiMOS?-6
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)40 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)150A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)7V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)1.03毫欧 @ 60A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)3V @ 90μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)108 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)6878 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)150W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装PG-TDSON-8-34
  • 封装/外壳8-PowerTDFN