时间：2025/12/27 6:18:19
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IA2116-330-FWR 是一款由InnoSwitch3系列推出的高集成度、高性能离线式开关电源IC，专为反激式变换器拓扑设计，适用于充电器、适配器以及工业电源等广泛应用。该器件集成了高压功率开关、初级侧控制器、次级侧同步整流驱动器以及磁耦合反馈机制，采用InnoSwitch3架构，实现了初级与次级之间的高效通信，无需光耦即可完成精确的输出电压和电流调节。IA2116-330-FWR 内部集成了一个750V的PowiGaN氮化镓开关晶体管，显著提升了转换效率并降低了导通损耗，支持高达94%以上的能效表现。其自供电启动电路通过内部高压电流源实现，可直接从漏极引脚获取启动电流，从而省去了传统辅助绕组及相关稳压电路。此外，该芯片具备多重保护功能，包括过载保护、过温保护、输出短路保护及输入欠压/过压锁定，确保系统在各种异常条件下稳定可靠运行。产品封装形式为InSOP-28D，具有良好的散热性能和电气隔离能力，适合紧凑型高功率密度电源设计。
型号：IA2116-330-FWR
系列：InnoSwitch3-Pro
拓扑结构：反激式
最大输出功率：约100W
集成开关类型：PowiGaN（750V）
工作频率：典型值100kHz
控制模式：准谐振/CCM/DCM自适应
反馈方式：FluxLink磁感技术（无光耦）
封装类型：InSOP-28D
隔离耐压：7500VAC（峰值）
工作温度范围：-40°C 至 +150°C
保护功能：OVP、OCP、OTP、SCP、Brown-in/out
同步整流驱动：支持双路SR驱动
输入电压范围：90VAC–440VAC（宽输入）
待机功耗：<30mW（满足六级能效标准）
IA2116-330-FWR 的核心特性之一是采用了先进的PowiGaN技术，即将750V氮化镓（GaN）功率开关集成于初级侧控制器中，这一创新大幅降低了导通电阻和开关损耗，使得电源转换效率显著提升，尤其在高频工作状态下表现出色。相较于传统的硅基MOSFET，GaN器件具备更快的开关速度和更低的栅极电荷，有助于减小变压器体积并提高整体功率密度。同时，该芯片支持连续导通模式（CCM）、临界导通模式（CrM）和不连续导通模式（DCM）的自动切换，能够根据负载条件智能调整工作模式，优化动态响应和轻载效率。
另一个关键特性是其基于FluxLink? 技术的无光耦反馈机制。通过磁感应方式在初级与次级之间传输控制信号，不仅实现了高达7500VAC的电气隔离强度，还消除了传统光耦因老化或温度漂移导致的稳定性问题，提高了系统的长期可靠性。此外，次级侧的检测信号可实时反馈至初级控制器，实现±1%的输出电压精度和±3%的恒流调节精度，适用于对输出稳定性要求较高的快充和工业应用。
该器件还集成了完整的保护机制，包括逐周期电流限制、自动恢复模式下的过温关断、输出过压/短路保护以及输入电压监测功能。当发生故障时，系统可在安全范围内自动重启或锁闭，防止损坏外部元件。InSOP-28D封装结合底部裸露焊盘设计，提供了优异的热传导路径，可在高环境温度下稳定运行。开发过程中配合PI Expert在线设计工具，可快速完成变压器设计与参数配置，缩短产品开发周期。
IA2116-330-FWR 广泛应用于需要高效率、高可靠性且具备紧凑结构的离线式电源系统中。典型应用场景包括大功率USB PD 3.1兼容的笔记本电脑充电器、多端口桌面适配器、电动工具电池充电器以及工业自动化设备中的嵌入式电源模块。由于其支持高达100W的输出功率，并具备出色的动态负载响应能力，因此非常适合用于支持最新快充协议的消费类电子产品电源设计。此外，在医疗设备、智能家居中枢和网络通信设备中，该芯片也常被用作主控电源解决方案，因其无光耦设计提升了系统在严苛电磁环境下的抗干扰能力和长期稳定性。
在工业领域，IA2116-330-FWR 可用于构建封闭式AC-DC模块电源，适用于PLC控制器、传感器供电单元及远程I/O模块等场景。其宽输入电压范围（支持全电压输入90–440VAC）使其能够在电网波动较大的地区稳定运行，增强了产品的全球适用性。同时，低待机功耗特性符合能源之星、EuP Lot6等国际节能标准，适用于追求绿色节能认证的产品设计。配合外部分立元件，还可实现多路输出或恒压/恒流双模式输出，满足多样化负载需求。
INN3370C
