HZU5BLLTRF是一款由ROHM Semiconductor生产的P沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于低电压驱动的负载开关和电源管理应用。这款器件采用了先进的工艺技术,具有较小的导通电阻(RDS(ON)),能够在有限的封装尺寸内提供较高的电流承载能力,适用于便携式电子设备、电池供电系统和DC/DC转换器等应用场景。
类型:P沟道MOSFET
漏源电压(VDS):-20V
栅源电压(VGS):±12V
连续漏极电流(ID):-5.7A(VGS = -4.5V)
导通电阻(RDS(ON)):最大80mΩ(VGS = -4.5V)
工作温度范围:-55°C至150°C
封装类型:TSMT4(超小型表面贴装)
功率耗散(PD):200mW
漏极电容(Coss):约350pF
栅极电荷(Qg):约8.5nC
HZU5BLLTRF具有低导通电阻的特性,这使其在高电流应用中能够减少功率损耗,提高整体系统效率。该器件的工作电压范围较低,适合3.3V或5V逻辑驱动,便于与数字控制器或微处理器直接连接。此外,HZU5BLLTRF采用超小型TSMT4封装,有助于节省PCB空间,非常适合用于紧凑型设计,如智能手机、平板电脑和其他便携式设备。其高耐压性能和良好的热稳定性也确保了在恶劣环境下的可靠运行。该器件还具备快速开关能力,有助于减少开关损耗并提升电源管理性能。
HZU5BLLTRF广泛应用于需要高效电源管理的电子设备中。其主要应用包括电池供电设备的负载开关、DC/DC转换器、电压调节器、电源分配系统以及电机驱动器。此外,由于其低导通电阻和高电流能力,该MOSFET也常用于便携式消费电子产品、工业控制系统和通信设备中作为高效率的电源开关。
Si7157DP-T1-GE3, FDC640P, NTR4182P