时间：2025/9/7 5:03:46
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HZU5BLLTRF是一款由ROHM Semiconductor生产的P沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于低电压驱动的负载开关和电源管理应用。这款器件采用了先进的工艺技术，具有较小的导通电阻（RDS(ON)），能够在有限的封装尺寸内提供较高的电流承载能力，适用于便携式电子设备、电池供电系统和DC/DC转换器等应用场景。
类型：P沟道MOSFET
漏源电压(VDS)：-20V
栅源电压(VGS)：±12V
连续漏极电流(ID)：-5.7A（VGS = -4.5V）
导通电阻(RDS(ON))：最大80mΩ（VGS = -4.5V）
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TSMT4（超小型表面贴装）
功率耗散(PD)：200mW
漏极电容(Coss)：约350pF
栅极电荷(Qg)：约8.5nC
HZU5BLLTRF具有低导通电阻的特性，这使其在高电流应用中能够减少功率损耗，提高整体系统效率。该器件的工作电压范围较低，适合3.3V或5V逻辑驱动，便于与数字控制器或微处理器直接连接。此外，HZU5BLLTRF采用超小型TSMT4封装，有助于节省PCB空间，非常适合用于紧凑型设计，如智能手机、平板电脑和其他便携式设备。其高耐压性能和良好的热稳定性也确保了在恶劣环境下的可靠运行。该器件还具备快速开关能力，有助于减少开关损耗并提升电源管理性能。
HZU5BLLTRF广泛应用于需要高效电源管理的电子设备中。其主要应用包括电池供电设备的负载开关、DC/DC转换器、电压调节器、电源分配系统以及电机驱动器。此外，由于其低导通电阻和高电流能力，该MOSFET也常用于便携式消费电子产品、工业控制系统和通信设备中作为高效率的电源开关。
Si7157DP-T1-GE3, FDC640P, NTR4182P
