PSS35SA2FT是一款由ROHM Semiconductor生产的肖特基势垒二极管(Schottky Barrier Diode),专为高频开关应用设计,具有低正向电压降和快速开关特性。该器件采用紧凑型表面贴装封装(SOD-123FL),适用于空间受限的高密度电路板设计。PSS35SA2FT主要用于电源整流、DC-DC转换器、逆变器电路以及防止反向电流的应用场景中。其结构基于先进的硅半导体工艺制造,确保了在高温和高电流条件下的稳定性能。该二极管的额定平均整流电流为350mA,最大重复峰值反向电压为30V,适合低压大电流供电系统中的高效能需求。由于采用了肖特基势垒技术,该器件避免了传统PN结二极管中存在的少数载流子存储效应,从而显著提升了开关速度并降低了开关损耗。此外,PSS35SA2FT符合RoHS环保标准,并通过AEC-Q101汽车级可靠性认证,使其不仅适用于消费类电子产品,也可广泛应用于汽车电子系统如LED照明、车载充电模块等对可靠性和耐久性要求较高的领域。
类型:肖特基势垒二极管
封装/外壳:SOD-123FL
最大重复峰值反向电压(VRRM):30V
最大直流阻断电压(VR):30V
平均整流电流(IO):350mA
正向压降(VF):典型值0.35V(在10mA时),最大值0.52V(在350mA时)
反向漏电流(IR):最大10μA(在25°C,30V下)
工作结温范围(Tj):-55°C 至 +150°C
储存温度范围:-55°C 至 +150°C
热阻(Rth(j-a)):约450°C/W(依PCB布局而定)
峰值浪涌电流(IFSM):12A(单个半正弦波,8.3ms)
PSS35SA2FT具备出色的电学与热学性能,其最显著的特性之一是极低的正向导通压降,这直接提高了电源转换效率,尤其在低输出电压的DC-DC变换器中表现突出。在350mA的工作电流下,其最大正向压降仅为0.52V,相比传统硅二极管可大幅降低功耗,减少热量产生,有助于提升系统整体能效并简化散热设计。此外,由于肖特基势垒结构的固有特性,该器件没有反向恢复时间(trr ≈ 0),因此在高频开关应用中几乎不会产生开关损耗或电磁干扰(EMI),这对于提高开关电源的稳定性与效率至关重要。该器件还表现出良好的温度稳定性,在高温环境下反向漏电流增长相对缓慢,能够在125°C结温下维持较低的漏电水平(通常小于100μA),从而保证高温工况下的长期可靠性。
PSS35SA2FT的SOD-123FL封装具有较小的物理尺寸(约2.0mm x 1.25mm x 1.0mm),非常适合便携式设备和高密度PCB布局。尽管体积小,但其引脚设计优化了焊接可靠性和热传导路径,增强了机械强度与抗热循环能力。该器件通过AEC-Q101认证,表明其经过严格的应力测试,包括高温反偏、温度循环、高压蒸煮等,适用于汽车级应用场景。此外,产品采用无铅锡镀层和绿色模塑料,符合RoHS与REACH环保指令,支持无卤素生产流程。在实际应用中,PSS35SA2FT常用于同步整流替代方案的辅助二极管、OR-ing电路、反向电池保护以及电压钳位电路中,凭借其快速响应能力和低损耗特性,有效防止电压倒灌和瞬态过冲,保护后级敏感元件。
PSS35SA2FT广泛应用于需要高效率、小尺寸和高可靠性的电子系统中。常见用途包括便携式消费类电子产品如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的DC-DC降压或升压转换器,作为续流二极管或输出整流元件。在工业控制与通信设备中,它被用于隔离电源模块、信号调理电路和低电压电源轨的防反接保护。由于其通过AEC-Q101认证,该器件特别适用于汽车电子系统,例如车载信息娱乐系统、LED车灯驱动电源、电动门窗控制器以及电池管理系统(BMS)中的电压检测与保护电路。此外,在USB供电(USB PD)、无线充电接收端以及小型逆变器中,PSS35SA2FT凭借其低正向压降和快速响应能力,能够显著提升能量利用率并减少发热。其高频特性也使其成为开关模式电源(SMPS)中理想的自由轮二极管选择,尤其在轻负载条件下仍能保持高效率。在嵌入式系统和物联网(IoT)设备中,该器件有助于延长电池续航时间,满足节能设计要求。总之,凡是在低压、小电流、高频开关环境中需要高效整流或防反向电流的场合,PSS35SA2FT都是一个可靠且高效的解决方案。
RB751S40,RB751V40,SUMD35S2,PMDS35S2