时间：2025/9/7 16:20:21
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HZU5ALL是一款由ROHM（罗姆）半导体公司生产的N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率、高频开关应用。这款MOSFET设计用于在低电压和中等电流条件下提供高性能，适用于如电源管理、DC-DC转换器、负载开关和电池供电设备等应用场景。其封装形式为SOT-523，属于小型表面贴装封装，适合在空间受限的设计中使用。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：100mA
最大漏极-源极电压（VDS）：20V
最大栅极-源极电压（VGS）：±8V
导通电阻（RDS(ON)）：1.2Ω（典型值，VGS=4.5V）
栅极电荷（Qg）：5.5nC
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：SOT-523
HZU5ALL具有低导通电阻的特点，这有助于减少导通状态下的功率损耗，提高整体系统效率。该器件的栅极电荷较低，使其在高频开关应用中表现出色，减少了开关损耗并提高了响应速度。此外，HZU5ALL的SOT-523封装形式不仅节省空间，还便于在高密度PCB布局中使用。其宽广的工作温度范围确保了该MOSFET能够在各种环境条件下稳定运行，包括高温和低温极端情况。HZU5ALL还具有良好的热稳定性和可靠性，适用于对长期运行稳定性有要求的应用场景。
HZU5ALL主要应用于便携式电子设备中的电源管理电路，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备。在这些设备中，它可用于DC-DC转换器、负载开关和电池保护电路。由于其高频特性和低功耗设计，HZU5ALL也适合用于开关稳压器和电机驱动电路。此外，该MOSFET还可用于传感器接口电路、LED驱动器和小型马达控制应用。
2N7002K, 2N3904, BSS138
