时间：2025/6/29 12:41:56
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IPD80P03P4L-07 是一款高性能的 N 沟道功率 MOSFET，专为高效率开关应用而设计。该器件采用先进的工艺技术制造，具有低导通电阻和优异的开关性能，适用于各种工业和消费类电子设备中的电源管理和电机驱动等场景。
该器件封装形式为 DPAK（TO-252），能够有效提高散热性能，并且支持高电流连续输出。其耐压等级为 30V，可满足大多数低压系统的应用需求。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：80A
导通电阻：1.2mΩ（典型值，在 Vgs=10V 下）
总功耗：115W
结温范围：-55℃至 175℃
IPD80P03P4L-07 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，可减少导通损耗并提高整体效率。
2. 快速开关能力，具备较低的输入电容和输出电荷量 Qg/Qoss，适合高频开关应用。
3. 提供出色的热稳定性，能够在高温环境下持续工作。
4. 高雪崩击穿能量能力，增强器件在异常条件下的鲁棒性。
5. 符合 RoHS 标准，环保无铅封装。
6. 紧凑型表面贴装 DPAK 封装，简化 PCB 设计并提升散热性能。
IPD80P03P4L-07 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流和主开关。
2. DC-DC 转换器中的高端或低端开关。
3. 电机驱动电路，包括无刷直流电机控制和步进电机驱动。
4. 工业自动化设备中的负载切换。
5. 电池保护和充电管理电路。
6. 各种消费类电子产品中的功率管理模块。
IPB80P03P4L-07, IPP80N03S4, IRF8405
