HZU3BLLTRF 时间：2025/9/7 4:49:30 阅读：33

HZU3BLLTRF 是一款由 Renesas（瑞萨电子）生产的双极型晶体管（BJT），属于 NPN 型晶体管。该器件主要用于高频放大和开关应用，适用于无线通信、射频（RF）电路以及高速数字电路等领域。HZU3BLLTRF 采用小型表面贴装封装（如 SOT-23 或类似封装），具有良好的高频响应和低噪声特性，因此非常适合用于射频前端模块、低噪声放大器（LNA）以及射频开关电路。此外，该晶体管的封装设计支持自动贴片工艺，便于在现代电子制造中使用。

参数

晶体管类型：NPN
　　最大集电极电流（Ic）：100 mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：50 V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：50 V
　　最大功耗（Pd）：150 mW
　　截止频率（fT）：8 GHz
　　电流增益（hFE）：典型值 80 @ Ic=2 mA, Vce=5 V
　　噪声系数（NF）：典型值 0.45 dB @ f=1 GHz
　　封装类型：SOT-23

特性

HZU3BLLTRF 是一款专为高频应用优化的 NPN 晶体管。其核心优势在于高频性能和低噪声系数，这使得它在射频和微波电路中表现优异。该晶体管的工作频率可高达 8 GHz，非常适合用于高频放大器、射频混频器以及无线通信系统的前端电路。此外，它的噪声系数低至 0.45 dB，在 1 GHz 频率下表现尤为突出，这使其成为低噪声放大器（LNA）的理想选择。
　　该晶体管的封装设计采用标准的 SOT-23 封装，具有良好的热稳定性和机械强度。SOT-23 封装体积小，适合高密度 PCB 设计，并且支持回流焊工艺，便于自动化生产。此外，HZU3BLLTRF 的最大集电极电流为 100 mA，最大集电极-发射极电压为 50 V，能够在较宽的工作电压范围内稳定运行，适用于多种电源设计和高频放大电路。
　　在电学特性方面，HZU3BLLTRF 的电流增益（hFE）典型值为 80，在 Ic=2 mA 和 Vce=5 V 的测试条件下表现良好，能够提供稳定的增益性能。其低功耗特性也使其在电池供电设备中表现出色，有助于延长设备的续航时间。此外，该晶体管的快速开关特性使其适用于高速数字电路和脉冲调制应用。