HMK105B7681KVHFE 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等场景。该芯片采用先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻和高耐压能力,能够显著提高系统的效率和可靠性。
其设计优化了开关性能和热特性,适合高频应用环境,同时具备良好的电磁兼容性(EMC)表现。
型号:HMK105B7681KVHFE
类型:N-Channel MOSFET
耐压:700V
连续漏极电流:5A
导通电阻:0.7Ω(典型值,在特定条件下)
栅极电荷:35nC(最大值)
开关时间:ton=50ns,toff=45ns
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装形式:TO-220
HMK105B7681KVHFE 的主要特性包括:
1. 高击穿电压:该器件可以承受高达 700V 的电压,确保在高压环境下稳定运行。
2. 低导通电阻:在额定电流下,导通电阻仅为 0.7Ω,从而减少功耗和发热。
3. 快速开关速度:通过优化的内部结构设计,开关时间非常短,有助于提升系统效率。
4. 热稳定性强:即使在高温或极端环境条件下,也能保持稳定的电气性能。
5. 高可靠性:经过严格的质量测试,适用于长时间连续工作的工业设备中。
6. 小型化封装:采用 TO-220 封装,方便安装并节省空间。
HMK105B7681KVHFE 主要应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS):作为主开关管,用于 AC/DC 和 DC/DC 转换。
2. 电机驱动:控制直流无刷电机或步进电机的启动、停止及调速。
3. 逆变器:在光伏逆变器和 UPS 系统中充当功率开关。
4. LED 驱动:为大功率 LED 提供高效稳定的电流驱动。
5. 工业自动化:如伺服控制系统中的功率转换模块。
6. 汽车电子:例如电动车窗、座椅调节等功能的执行机构。
HMK105B7681KVFHE, IRF840, STP70NF7