类型: NPN 双极型晶体管
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）: 30V
　　最大集电极电流（IC）: 150mA
　　最大功率耗散（PD）: 200mW
　　电流增益（hFE）: 110-800（取决于工作电流）
　　特征频率（fT）: 100MHz
　　封装类型: SC-70 / SOT-23
　　工作温度范围: -55°C 至 150°C

HZU30BTRF-30V 晶体管具备多个高性能特性，使其适用于各种高频和低噪声放大应用。
　　首先，它的最大集电极-发射极电压为 30V，能够在中等电压环境下稳定工作，适用于多种电源设计。最大集电极电流为 150mA，适合低功率信号放大和开关应用。
　　其次，该晶体管的特征频率（fT）高达 100MHz，使其在射频和高频电路中表现出色，适用于无线通信、RF 混频器、振荡器等电路。
　　此外，HZU30BTRF-30V 的电流增益（hFE）范围较宽，从 110 到 800，具体数值取决于工作电流。这使得它在不同应用场景下都能提供良好的增益性能，增强了设计灵活性。
　　该器件采用 SC-70 或 SOT-23 等小型封装形式，节省电路板空间，便于自动化生产和表面贴装工艺。同时，其工作温度范围为 -55°C 至 150°C，确保在极端环境下的可靠性。
　　最后，HZU30BTRF-30V 的低噪声系数和快速开关特性，使其在低噪声放大器（LNA）和射频开关电路中表现优异。

HZU30BTRF-30V 主要应用于以下几个方面：
　　1. 射频放大器：由于其高特征频率和低噪声特性，HZU30BTRF-30V 非常适合用于无线通信设备中的低噪声放大器（LNA）和射频信号放大电路。
　　2. 混频器与振荡器：该晶体管的高频响应能力使其适用于 RF 混频器和本地振荡器电路，广泛用于无线模块和接收器设计中。
　　3. 数字和模拟开关：凭借其快速开关能力和良好的增益性能，HZU30BTRF-30V 可用于数字控制电路和模拟信号切换应用。
　　4. 传感器接口电路：在需要低噪声和高灵敏度的传感器放大电路中，该晶体管能够提供稳定的信号放大功能。
　　5. 工业控制与消费电子：由于其小型封装和宽温度范围，HZU30BTRF-30V 被广泛应用于工业控制系统、智能穿戴设备、智能家居和便携式电子产品中。

2N3904, BC547, HZU30BTRF-50V