时间：2025/9/6 15:08:52
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HZU27BJTRF 是一款由 ROHM（罗姆）半导体公司制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于需要高效能和高可靠性的电源管理应用中。该器件采用先进的平面工艺技术，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适用于 DC-DC 转换器、负载开关和电机控制等场景。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏源电压 (Vds)：30V
最大栅源电压 (Vgs)：20V
最大漏极电流 (Id)：12A
导通电阻 (Rds(on))：27mΩ（典型值）
功率耗散：80W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：TO-252（DPAK）
HZU27BJTRF 具备出色的导通性能和低导通电阻，这使其在高电流应用中能够有效降低功率损耗并减少热量产生。该器件采用了 ROHM 独有的沟槽结构技术，从而实现了更小的芯片尺寸和更高的电流密度。此外，HZU27BJTRF 还具有良好的热稳定性，在高负载条件下也能维持稳定的性能。该 MOSFET 的封装形式为 TO-252（DPAK），具备良好的散热性能，适用于表面贴装技术（SMT），便于在 PCB 上进行安装和焊接。
这款 MOSFET 在制造过程中严格遵循 AEC-Q101 汽车电子标准，适合用于汽车电子系统中的高可靠性要求。其栅极氧化层设计能够承受高达 20V 的栅源电压，提高了器件在复杂电磁环境下的稳定性和抗干扰能力。此外，HZU27BJTRF 还具备较快的开关速度，有助于提高电源转换效率，适用于高频开关电路。该器件的封装材料符合 RoHS 标准，无铅且环保，适用于现代绿色电子产品的设计需求。
HZU27BJTRF 主要应用于汽车电子系统，如车载充电器、电池管理系统（BMS）、电动助力转向系统（EPS）等。此外，该 MOSFET 还广泛用于工业自动化设备、电源管理模块、DC-DC 转换器、负载开关控制、马达驱动电路以及各类高效率电源系统。其高可靠性和良好的热管理特性也使其成为通信设备和消费类电子产品中的理想选择。
R6004END、SiSS12DN、FDMS86180、NTMFS5C428NWT
