类型：齐纳二极管
　　标称齐纳电压：11V
　　最大齐纳电流：150mA
　　功率耗散：200mW
　　封装形式：SOD-523
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　最大反向漏电流（VR）：100nA（典型值）
　　齐纳阻抗（Zzt）：90Ω（最大值）

HZU11B2TRF 作为一款高精度齐纳二极管，具备优异的电压稳定性和温度特性。该器件的齐纳电压在额定电流下保持在11V附近，波动极小，适用于需要稳定参考电压的电路设计。其齐纳阻抗较低，确保在负载变化时仍能维持稳定的输出电压。
　　该器件的最大功率耗散为200mW，能够在表面贴装工艺下稳定工作，适合用于紧凑型电子设备。SOD-523 封装具有良好的热性能和机械强度，适用于自动贴片和回流焊工艺。
　　此外，HZU11B2TRF 在宽温度范围内保持稳定性能，从-55°C到+150°C均能正常工作，适合工业级和汽车电子应用。其低反向漏电流特性（典型值100nA）也使其在低功耗电路中表现出色。

HZU11B2TRF 主要应用于电源管理、电压参考、过压保护和稳压电路中。典型应用场景包括开关电源中的参考电压源、电池充电电路中的电压钳位、ADC/DAC的基准电压源、以及各种便携式电子设备中的低功耗稳压电路。
　　在通信设备中，HZU11B2TRF 可用于提供稳定的偏置电压或作为保护元件防止瞬态电压损坏后续电路。在汽车电子系统中，该器件可用于仪表盘、ECU（电子控制单元）和车载充电器中的电压调节与保护。
　　此外，该齐纳二极管也可用于传感器电路中的电压稳定，确保传感器输出的准确性和重复性。

BZV55-C11, MMSZ5241B, 1N4742A