时间：2025/6/20 22:07:07
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STS9P3LLH6是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的功率MOSFET，采用N沟道增强型结构。该器件具有低导通电阻和快速开关速度的特点，适用于高效率的电源管理应用，例如DC-DC转换器、负载开关、电机驱动以及各种功率转换场景。其封装形式为PowerSSO-10，能够满足紧凑设计的需求。
最大漏源电压：45V
连续漏极电流：27A
导通电阻：3.2mΩ
栅极电荷：37nC
开关速度：非常快
工作温度范围：-55℃至150℃
STS9P3LLH6具有极低的导通电阻，这有助于减少传导损耗并提升整体效率。此外，其快速的开关性能使得它非常适合高频应用场合。器件内置的ESD保护电路提高了系统的可靠性，并且其热增强型封装能够有效改善散热性能。此外，STS9P3LLH6符合RoHS标准，支持环保设计要求。
这款功率MOSFET还具备出色的雪崩能力，可以在异常条件下提供额外的安全保障。由于采用了先进的制造工艺，该器件能够在较高的结温下稳定运行，从而延长了使用寿命。
STS9P3LLH6广泛应用于需要高效功率转换的领域，包括但不限于笔记本电脑适配器、工业电源、太阳能微型逆变器、不间断电源（UPS）、电动工具驱动电路以及汽车电子系统中的负载切换功能。其低Rds(on)使其成为降低功耗的理想选择，特别适合对能效有严格要求的应用场景。
IRFZ44N
STP36NF06
FDP5580
IXTP18N50Q2
