时间：2025/9/6 22:18:59
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HZM33NBTR是一款由ROHM Semiconductor生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件设计用于高效率电源转换和功率管理应用，具备低导通电阻（Rds(on)）和高耐压能力，适用于DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统以及其他需要高效能功率开关的场合。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：100A
导通电阻（Rds(on)）：最大值为8.2mΩ（在Vgs=10V时）
功耗（Pd）：140W
工作温度范围：-55°C至150°C
HZM33NBTR的主要特性之一是其极低的导通电阻，这有助于降低导通损耗并提高整体系统效率。该器件的Rds(on)在Vgs=10V时仅为8.2mΩ，使得在高电流应用中也能保持较低的功率损耗。
此外，HZM33NBTR采用了先进的沟槽式MOSFET结构，提供了优良的开关性能和热稳定性。这种结构优化了电场分布，减少了开关损耗，并提高了器件的可靠性和耐用性。
该MOSFET封装在一个高散热效率的HZIP-4封装中，有助于快速散热，从而在高负载条件下保持稳定的工作温度。这种封装形式也便于PCB布局和安装，适合用于紧凑型电源设计。
HZM33NBTR还具有较高的电流承载能力，额定连续漏极电流可达100A，适用于需要大电流输出的应用场景，如电动工具、工业电机驱动和高功率LED照明系统。
HZM33NBTR广泛应用于多种功率电子设备中，包括但不限于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统以及工业自动化设备中的功率控制模块。由于其优异的导通性能和高电流承载能力，它也非常适合用于电动工具、储能系统和电源适配器等高功率密度设计中。
SiR344DP-T1-GE3, FDP100N30TM
