类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：30V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：120A（在25°C）
　　脉冲漏极电流：480A
　　导通电阻(Rds(on))：典型值为1.7mΩ（在Vgs=10V）
　　功率耗散(Pd)：200W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：双排引脚DFN（Dual Flat No-lead）

HZM30NBTL(30V) 的最大特点是其极低的导通电阻，有助于降低导通损耗并提高能效。该MOSFET采用先进的沟槽结构设计，确保在高电流条件下仍能保持稳定的性能。
　　此外，该器件的封装形式为双排引脚DFN，具有良好的热性能和电流承载能力，同时支持高密度PCB布局设计，适用于空间受限的应用场景。
　　其高速开关特性使得HZM30NBTL特别适合用于高频开关电源中，从而减少外部电感和电容的尺寸，提高整体系统的功率密度。
　　内置的ESD保护功能提高了器件在实际应用中的可靠性，降低了静电放电对MOSFET造成损坏的风险。
　　由于其出色的热稳定性和电流能力，HZM30NBTL(30V) 能够在高负载条件下持续工作，适用于要求高可靠性和高效率的工业级应用。

HZM30NBTL(30V) 广泛应用于各类高效率电源系统中，包括但不限于：DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）、服务器和通信设备电源模块、电动工具和无人机电源系统、汽车电子中的功率管理单元等。其低导通电阻和高电流能力使其成为高效能电源设计中的理想选择。

SiZ120DT,T SiR120DP-T1-GE3 SQJA120EL-T1_GE3