时间：2025/9/6 19:30:23
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HZM15NB3TL是一款由ROHM（罗姆）半导体公司生产的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高效能、低导通电阻和快速开关特性而设计，适用于各种功率转换和控制应用。其封装形式为SOT-223，便于在小型电路板上安装，并具有良好的热管理性能。
类型：N沟道
漏极电流（ID）：15A
漏极-源极电压（VDS）：20V
栅极-源极电压（VGS）：±12V
导通电阻（RDS(ON)）：9.5mΩ（最大值）
功耗（PD）：80W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
HZM15NB3TL的主要特性之一是其低导通电阻（RDS(ON)），这使得在高电流条件下导通损耗显著降低，提高了整体系统的效率。该器件在设计上优化了开关特性，能够实现快速导通和关断，从而减少了开关损耗，适用于高频开关应用。HZM15NB3TL采用了SOT-223封装，这种封装形式具有较好的热管理能力，能够有效散热，同时占用空间小，适合紧凑型设计。
此外，该MOSFET具有较高的耐用性和可靠性，能够在较宽的温度范围内稳定工作（-55°C至+150°C），适用于工业控制、汽车电子等对可靠性要求较高的场合。其栅极驱动电压范围为±12V，使得它能够与常见的栅极驱动电路兼容，简化了设计流程。ROHM还确保了该器件在制造过程中遵循严格的品质控制标准，以提供稳定一致的电气性能。
HZM15NB3TL广泛应用于各种功率电子设备中，如DC-DC转换器、电机驱动器、负载开关和电池管理系统。由于其低导通电阻和高电流处理能力，特别适合用于需要高效率和小尺寸设计的电源转换系统。在汽车电子领域，该MOSFET可用于车载充电器、电动助力转向系统和车身控制模块。此外，在工业自动化和智能家居设备中，HZM15NB3TL也可作为高效率开关元件使用。
SiSS15N20C, FDS6680, IRF7413
